时间：2025/8/6 3:01:34
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MDMA65P1200TG是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的高性能功率MOSFET模块，专为高功率密度和高效率的应用设计。该模块基于碳化硅（SiC）技术，提供卓越的开关性能和导通损耗特性，适用于诸如电动汽车充电系统、工业电源、可再生能源系统和储能系统等苛刻的应用场景。MDMA65P1200TG采用了先进的封装技术，具有良好的热管理和可靠性，能够在高温和高电压条件下稳定工作。
类型：碳化硅（SiC）MOSFET模块
最大漏极电流：65A
最大漏源电压：1200V
导通电阻（Rds(on)）：典型值为25mΩ
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-247
栅极电荷（Qg）：典型值为80nC
漏极-源极击穿电压：1200V
MDMA65P1200TG采用了碳化硅材料，显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提高了整体系统效率。其高击穿电压能力（1200V）使其适用于高电压应用，同时在高温下仍能保持稳定的性能。
此外，该器件具有优异的热传导性能，能够有效降低模块的工作温度，延长使用寿命。MDMA65P1200TG还具有快速开关能力，减少了开关过程中的能量损耗，适用于高频开关应用。
其坚固的封装设计不仅提供了良好的机械稳定性，还能有效抵御外部环境的影响，如湿度和振动，确保在严苛工作条件下的可靠性。
由于碳化硅材料的特性，MDMA65P1200TG相比传统的硅基MOSFET具有更高的工作频率能力，从而可以减小外围无源元件的尺寸，提高系统的功率密度。这种特性特别适合用于需要高效、小型化设计的电力电子系统。
MDMA65P1200TG广泛应用于高功率和高效率要求的电力电子系统中。常见的应用包括电动汽车充电器、光伏逆变器、储能系统、工业电机驱动器以及不间断电源（UPS）。由于其高耐压能力和出色的热管理性能，该模块也适用于需要高可靠性的汽车和工业应用。此外，MDMA65P1200TG还适合用于需要高频操作的功率转换系统，如DC-DC转换器和AC-DC整流器，以提高系统的整体效率和性能。
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"MDMA65P1200TH",
"MDMA65P1200VH",
"IMZA65R120M1H"
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