IXFN9024 时间：2025/8/5 21:26:04 阅读：17

IXFN9024 是一款由 IXYS 公司推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高频率、高效率的开关应用。该器件采用了先进的平面技术，具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力，是许多工业、消费电子和汽车电子应用中的理想选择。IXFN9024 通常采用 TO-247 封装形式，具备良好的热性能和高功率处理能力。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：24A（Tc=100℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.18Ω
　　功耗（Pd）：300W
　　工作温度范围：-55℃～150℃
　　封装形式：TO-247

特性

IXFN9024 MOSFET 采用了先进的平面技术，使其在高电压应用中表现出色。其主要特性包括低导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有快速的开关特性，适合用于高频开关电源和DC-DC转换器。高耐压能力（900V）使其适用于高压输入的电源系统，如工业电源、LED驱动器和电机控制电路。
　　IXFN9024 的 TO-247 封装设计提供了良好的散热性能，能够承受较大的功率损耗，确保器件在高负载条件下的稳定运行。此外，该 MOSFET 内置了防静电保护电路，提高了器件的可靠性和耐用性。
　　该器件的栅极驱动要求较低，适合与多种驱动电路配合使用，降低了驱动电路的设计难度。同时，其优异的热稳定性确保了在高温环境下依然可以正常工作，适用于严苛的工作环境。

应用

IXFN9024 主要应用于需要高电压、中高功率的开关电路中。常见的应用包括：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器、工业自动化设备、LED 照明驱动器以及电动车充电器等。由于其优异的高频性能和低导通损耗，IXFN9024 也广泛用于谐振变换器和 ZVS（零电压开关）电路中，有助于提升整体能效和减小系统体积。