MDL6050T1G 时间：2025/8/13 1:35:23 阅读：17

MDL6050T1G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于各种高功率和高频应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，同时保持良好的热稳定性和可靠性。MDL6050T1G广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及工业自动化系统中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：160A（Tc=25℃）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　导通电阻（Rds(on)）：最大5.3mΩ @Vgs=10V
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V至4.0V
　　输入电容（Ciss）：约3500pF
　　封装形式：D2PAK（TO-263）

特性

MDL6050T1G具有多项高性能特性，首先是其低导通电阻，能够在高电流条件下显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的Trench沟道MOSFET技术，使得导通电阻与栅极电荷之间的平衡得到优化，从而实现更快的开关速度和更低的开关损耗。
　　此外，MDL6050T1G具备出色的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，其D2PAK封装提供了良好的散热性能，支持表面贴装工艺，便于自动化生产和高密度PCB布局。　　由于其高可靠性和耐用性，MDL6050T1G适用于要求苛刻的工业和汽车电子应用，如电动工具、电源适配器、电池管理系统、马达驱动和功率因数校正（PFC）电路等。

应用

MDL6050T1G主要应用于高功率密度和高效率要求的电力电子系统中。例如，在DC-DC转换器中作为主开关使用，可有效提高转换效率并降低温升；在电源管理系统中作为负载开关或同步整流器；在电机驱动和电动工具中用于控制高电流负载；在工业自动化和机器人系统中作为功率控制元件。
　　此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统、LED照明驱动和电池管理系统等。其优异的热管理和高电流能力使其在空间受限和散热要求高的应用中表现出色。