型号：2SK4087LS-MG5
　　制造商：Toshiba
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：16A（@TC=70°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：64A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　阈值电压（Vth）：典型值1.5V，范围1.0V～2.3V
　　导通电阻（RDS(on)）：4.3mΩ（@VGS=10V, ID=8A）
　　导通电阻（RDS(on)）：5.7mΩ（@VGS=4.5V, ID=8A）
　　输入电容（Ciss）：典型值2200pF（@VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：典型值550pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值90pF
　　总栅极电荷（Qg）：典型值27nC（@VGS=10V, ID=16A）
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值10ns
　　上升时间（tr）：典型值35ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值30ns
　　下降时间（tf）：典型值20ns
　　功耗（PD）：40W（TC=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C～+150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C～+150°C
　　封装形式：SOP Advance（H）

2SK4087LS-MG5具备多项先进电气与结构特性，使其成为高性能电源管理应用的理想选择。首先，其极低的导通电阻RDS(on)显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。在VGS=10V时，RDS(on)仅为4.3mΩ，即便在较低驱动电压VGS=4.5V下也能维持5.7mΩ的低阻值，这表明该器件兼容低压逻辑驱动电路，适合现代低电压控制系统。其次，该MOSFET采用东芝专有的沟槽结构工艺，有效提升了单位面积的载流能力，同时优化了电场分布，增强了器件的可靠性与耐用性。
　　另一个关键特性是其出色的开关性能。2SK4087LS-MG5具有较低的栅极电荷（Qg=27nC）和米勒电容（Crss=90pF），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，能够实现更快的开关速度并减少开关损耗。这对于提高DC-DC转换器的工作频率、减小外围元件尺寸具有重要意义。同时，较短的开启延迟时间和上升/下降时间确保了精确的开关控制，减少了交叉导通风险。
　　热性能方面，该器件采用SOP Advance（H）封装，具有优异的散热能力。通过优化引线框架设计和内部连接工艺，实现了更低的热阻（Rth(j-c)），从而在高功率密度环境下仍可保持稳定的结温。此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和坚固的栅氧化层设计，能够承受瞬态过压和浪涌电流冲击，提高了系统的鲁棒性。综合这些特性，2SK4087LS-MG5不仅适用于常规电源转换，还能在动态负载变化频繁的应用中表现出色。

2SK4087LS-MG5主要应用于各类高效率、高密度的电源管理系统中。其最常见的用途是在同步整流型DC-DC转换器中作为主开关或整流元件，尤其在笔记本电脑、平板电脑和超极本等便携式设备的主板电源模块中广泛应用。由于其低RDS(on)和优良的开关特性，能够在轻载和重载条件下均保持高转换效率，延长电池续航时间。
　　此外，该器件也常用于电池供电系统的负载开关或电源路径管理电路中，用于控制不同电源域的上电顺序或隔离未使用模块以降低待机功耗。在服务器和通信设备的板级电源系统中，2SK4087LS-MG5可用于POL（Point-of-Load）转换器，提供稳定的电压供给给CPU、GPU或ASIC等核心芯片。
　　其他潜在应用包括LED背光驱动电路、热插拔控制器、电机驱动中的低端开关以及各种消费类电子产品中的电源管理单元。由于其SOP Advance（H）封装支持自动化贴片生产，因此非常适合大规模量产环境下的表面贴装工艺。同时，其宽泛的工作温度范围使其能在工业级环境条件下可靠运行。总之，凡是对效率、尺寸和热性能有较高要求的低压大电流开关应用，2SK4087LS-MG5都是一个极具竞争力的选择。

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