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DDTC114YLP-7 发布时间 时间:2025/12/26 9:57:12 查看 阅读:12

DDTC114YLP-7是一款由Diodes Incorporated生产的双通道N沟道MOSFET晶体管阵列,采用SOT-363(SC-88)小型封装,适用于高密度、低功耗的便携式电子设备。该器件集成了两个独立的N沟道MOSFET,具有低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性,广泛用于电源管理、信号切换、负载开关和逻辑控制等应用中。由于其微型封装和优异的电气性能,DDTC114YLP-7特别适合在空间受限的应用场景中替代分立式晶体管方案。
  该器件的工作电压范围宽,栅极阈值电压较低,可直接由3.3V或5V逻辑电平驱动,兼容大多数微控制器和数字逻辑电路。此外,DDTC114YLP-7符合RoHS环保标准,并具备良好的ESD保护能力,提升了系统在复杂环境下的可靠性。其引脚布局经过优化,便于PCB布线,有助于减少寄生电感和电磁干扰,提高整体电路性能。

参数

型号:DDTC114YLP-7
  类型:双通道N沟道MOSFET阵列
  封装:SOT-363 (SC-88)
  通道数:2
  连续漏极电流(Id):100mA(每通道)
  漏源击穿电压(BVDSS):50V
  栅源阈值电压(VGS(th)):0.95V ~ 1.5V
  导通电阻(RDS(on)):350mΩ(典型值,VGS=2.5V)
  栅极电荷(Qg):3.5nC
  输入电容(Ciss):25pF
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  功率耗散(Pd):200mW
  安装类型:表面贴装
  符合RoHS标准:是

特性

DDTC114YLP-7的每个MOSFET单元都经过精心设计,以实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。其RDS(on)在VGS=2.5V时仅为350mΩ,确保在低电压驱动条件下仍能保持较高的效率,减少功率损耗和发热。这一特性使其非常适合用于电池供电设备中的负载开关或电源路径控制,例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的LCD背光控制或外设电源管理模块。
  器件的栅极阈值电压范围为0.95V至1.5V,意味着它可以在1.8V、2.5V或3.3V逻辑系统中可靠开启,具备良好的逻辑电平兼容性。同时,较低的输入电容(Ciss = 25pF)和栅极电荷(Qg = 3.5nC)显著降低了驱动电路的负担,提高了开关速度,减少了动态功耗,有利于提升系统的响应速度和能效。
  SOT-363封装尺寸小巧(仅2.0mm × 2.1mm × 0.9mm),极大节省了PCB空间,适合高密度集成设计。该封装还具备良好的散热性能,通过PCB焊盘可有效将热量传导出去,避免局部过热导致器件失效。此外,双通道独立结构允许用户灵活配置,可用于并联增强电流能力,也可作为两个独立开关分别控制不同负载。
  DDTC114YLP-7经过严格的可靠性测试,包括高温反向偏压(HTRB)、高温栅极偏压(HTGB)和温度循环试验,确保在恶劣环境下长期稳定运行。其内置的体二极管也具备一定的反向恢复能力,适用于部分开关电源拓扑结构。总体而言,该器件在性能、尺寸和可靠性之间达到了良好平衡,是现代便携式电子产品中理想的MOSFET解决方案。

应用

DDTC114YLP-7广泛应用于需要小型化和低功耗设计的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的电源开关和负载控制,如手机、MP3播放器、数码相机等设备中的LCD模块电源管理、摄像头模块供电控制以及蓝牙/Wi-Fi模组的上电时序控制。
  在工业和通信领域,该器件可用于信号路由、继电器替代、I/O扩展电路中的电平转换和开关功能。由于其快速响应能力和低静态电流消耗,也常被用于电池管理系统(BMS)中的充放电通路控制,或作为USB端口的过流保护开关。
  此外,DDTC114YLP-7还可用于LED驱动电路中,作为多路LED背光的独立开关,实现分区调光或节能控制。在微控制器与高阻抗负载之间的接口电路中,它可以起到缓冲和隔离作用,防止MCU引脚过载。
  由于其双通道独立结构,该器件还能用于H桥预驱级的小功率电机控制,或作为双向电平转换器的一部分,在不同电压域之间传递数字信号。总之,凡是在空间受限且要求高效、可靠开关功能的场合,DDTC114YLP-7都是一个极具竞争力的选择。

替代型号

DMG2302UK-7
  FDC6322L
  2N7002K-7-F
  SI2302CDS-T1-E3

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DDTC114YLP-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)50 @ 1mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)200mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大250mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳3-XFDFN
  • 供应商设备封装3-DFN1006(1.0x0.6)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DDTC114YLPDITR