类型：SiC MOSFET模块
　　拓扑结构：双N沟道
　　漏源电压(Vds)：600V
　　连续漏极电流(Id)：22A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为25mΩ
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：双列直插式封装（DIP）
　　安装方式：通孔安装
　　最大功耗：300W
　　短路耐受能力：支持
　　栅极电压范围：-10V至+20V

MDK600-22N1 的主要特性包括其采用先进的碳化硅（SiC）技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)）和出色的开关性能，从而显著降低功率损耗并提高系统效率。由于SiC材料的热导率高，该模块在高温下仍能保持稳定运行，适用于恶劣环境条件下的应用。
　　此外，该模块具有优异的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，提高了系统的可靠性。其栅极驱动电压范围宽广（-10V至+20V），允许使用标准的栅极驱动电路，简化了设计和集成过程。
　　封装方面，MDK600-22N1 采用双列直插式封装（DIP），适用于通孔安装，便于散热和模块的机械固定。这种封装形式也便于在高功率应用中进行有效的热管理。
　　该模块的高温工作能力（最高可达+175°C）使其适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。其低电感封装设计也有助于减少开关过程中的电压过冲和电磁干扰（EMI），提高系统的稳定性。

MDK600-22N1 广泛应用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的场合，包括工业电机驱动、电动汽车（EV）充电系统、车载DC-DC转换器、可再生能源系统（如太阳能逆变器）以及高频电源转换器等。其优异的热性能和短路耐受能力使其特别适合用于高负载和频繁开关操作的环境中。

CMF60022A、MDK600-22N1B、MDK600-22N1G、SiC MOSFET模块600V/22A