时间：2025/8/19 10:07:56
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MDD6N60GRH 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高效率和高性能的电源管理应用。该器件采用了先进的沟槽技术，能够在高电压和大电流条件下提供优异的性能，具有低导通电阻、高可靠性和良好的热稳定性。MDD6N60GRH广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、照明系统以及各种工业和消费类电子设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：6A
最大漏-源电压：600V
导通电阻(Rds(on))：1.8Ω @ Vgs=10V
栅极电压范围：±30V
最大功耗：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
MDD6N60GRH MOSFET采用先进的沟槽式结构设计，使得其在600V高压应用中仍能保持较低的导通电阻（Rds(on)），从而降低导通损耗并提高系统效率。
该器件具有高达6A的连续漏极电流能力，适合中高功率应用的需求。其栅极驱动电压范围为10V时，能够有效控制导通状态，同时具备较强的抗过载和短路能力。
由于采用了先进的硅技术，MDD6N60GRH在高温环境下依然能保持良好的稳定性和可靠性，适合在工业环境或高温条件下使用。其TO-252（DPAK）封装形式不仅有助于良好的散热，还能方便地集成到各种PCB布局中，提高装配效率。
此外，MDD6N60GRH具有快速开关特性，能够支持高频开关操作，从而减小外部滤波元件的尺寸，提升整体系统的功率密度和响应速度。这种特性使其非常适合用于高效能的DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、LED照明驱动电路以及各种电源管理模块。
MDD6N60GRH MOSFET主要应用于各种电源管理系统，包括开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、电池充电器、电机控制模块、LED驱动电源、照明控制系统、工业自动化设备以及消费类电子产品中的功率开关部分。由于其高耐压能力和良好的热性能，该器件特别适合用于需要高效能、高可靠性的中高功率场合。
MDDT6N60GRH, FQP6N60C, IRFBC40, 6N60C
