时间：2025/6/26 17:53:17
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IN010C50-CD02-13GC-S03P 是一款基于绝缘体上硅（SOI）技术的高压功率MOSFET，主要应用于工业和汽车电子领域。该器件采用先进的沟槽式结构设计，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式为行业标准的表面贴装类型，便于自动化生产和高效散热。
型号：IN010C50
最大漏源电压(Vds)：50V
连续漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ
栅极电荷(Qg)：40nC
反向恢复时间(trr)：75ns
结温范围(Tj)：-55℃至175℃
封装形式：S03P
IN010C50-CD02-13GC-S03P具有卓越的电气特性和可靠性，适合于高效率和高功率密度的应用场景。其低导通电阻有助于降低传导损耗，而快速的开关特性则减少了开关损耗。此外，该器件还具备出色的雪崩能力和抗电磁干扰性能，确保在严苛环境下的稳定运行。
这款MOSFET采用了SOI技术，避免了传统硅基器件中的寄生效应问题，从而提高了整体系统性能。同时，其紧凑的封装设计和良好的热管理能力，使其非常适合用于空间受限且对散热要求较高的应用。
IN010C50-CD02-13GC-S03P广泛应用于多种电力电子转换和控制场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)，如AC/DC适配器和LED驱动器。
2. 电动车辆(HEV/EV)中的牵引逆变器和辅助电源模块。
3. 工业电机驱动和伺服控制系统。
4. 太阳能微逆变器及储能系统。
5. 快速充电器和USB-PD控制器。
6. 高效DC/DC转换器和负载点(PoL)调节器。
IN010C50-CD02-12GC-S03P, IN010C50-CD01-13GC-S03P
