时间：2025/9/3 9:19:22
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MDD5001 是一款由 MagnaChip 半导体公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率、高可靠性的电源管理系统中。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有较低的导通电阻和优良的热稳定性，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池充电器和电机驱动等应用。MDD5001 通常采用 TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，适用于表面贴装。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：500V
最大漏极电流(Id)：5A
导通电阻(Rds(on))：1.8Ω @ Vgs=10V
栅极电压(Vgs)：±30V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-252 (DPAK)
MDD5001 MOSFET 具备多项显著特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其最大漏源电压为 500V，能够在高压环境中稳定工作，适用于多种电源转换系统。其次，该器件的最大漏极电流为 5A，可满足中等功率应用的需求。MDD5001 的导通电阻（Rds(on)）为 1.8Ω，在 Vgs=10V 时具有较低的导通损耗，从而提高了系统的整体效率。此外，MDD5001 的栅极电压范围为 ±30V，具备较高的栅极电压容忍度，能够有效防止因电压波动而造成的损坏。
该器件还具有良好的热稳定性，TO-252 封装提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。MDD5001 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于各种严苛的工业环境。由于其高可靠性和优良的电气性能，MDD5001 常被用于电源适配器、DC-DC 转换器、LED 驱动器、电机控制和电池管理系统等领域。此外，该 MOSFET 的封装形式为 TO-252（DPAK），便于表面贴装，提高了 PCB 布局的灵活性和制造的便利性。
MDD5001 主要用于各类中高功率电子设备中，典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、LED 照明驱动器、电机控制器、电池充电器和负载开关等。其高压耐受能力和中等电流承载能力使其在工业控制、消费电子和汽车电子领域均有广泛应用。例如，在电源管理系统中，MDD5001 可用于高边开关控制，实现高效的能量传输；在 LED 驱动电路中，它可作为恒流控制开关，提供稳定的照明输出；在电机控制应用中，该器件可作为 H 桥中的开关元件，实现电机的正反转和调速功能。
FDPF5N50、FQP5N50C、IRF540N
