MDD44-08N1 时间：2025/8/6 6:58:35 阅读：22

MDD44-08N1 是一款由Microsemi（现为Microchip Technology旗下品牌）生产的MOSFET模块，广泛应用于需要高效能和高可靠性的功率电子系统中。该器件采用先进的功率MOSFET技术，具有低导通电阻、高电流容量和良好的热性能。MDD44-08N1适用于工业控制、电源转换、电机驱动、不间断电源（UPS）以及各种高功率应用场合。

参数

类型：N沟道MOSFET模块
　　最大漏源电压（VDS）：80V
　　最大漏极电流（ID）：220A（@25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大8.0mΩ
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　最大功耗（PD）：1200W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：双列直插式模块（DIP）
　　安装方式：通孔安装

特性

MDD44-08N1具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的封装技术，提供良好的热管理能力，使模块能够在高电流和高温环境下稳定运行。MDD44-08N1的双列直插式模块（DIP）封装结构坚固，具备较高的机械稳定性和散热性能，适合在恶劣工业环境中使用。
　　此外，该MOSFET模块具有高电流承载能力，能够承受短时间的过载电流，适用于电机驱动和电源转换等需要瞬态响应的应用。其栅极驱动电压范围宽广，支持±20V，便于与多种驱动电路兼容，提升设计灵活性。MDD44-08N1还具备较高的短路耐受能力，确保在异常工况下器件的安全运行。

应用

MDD44-08N1适用于多种高功率电子系统，包括但不限于：工业电机驱动器、直流电源转换器（如DC-DC转换器）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电池管理系统（BMS）、电焊设备、高频开关电源（SMPS）、电动汽车充电系统以及工业自动化控制系统。该器件在需要高效、高可靠性和高功率密度的场合表现出色。