MDD410-28N3 是一款由Microsemi(现为Microchip子公司)生产的高功率双极性晶体管模块,主要用于工业电源、电机控制和高频开关应用。该器件采用TO-247封装,具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性,适用于需要高可靠性和高效率的电力电子系统。MDD410-28N3 是一款N沟道MOSFET,具有较低的导通电阻和快速的开关特性。
型号:MDD410-28N3
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):410A
漏-源极击穿电压(VDS):2800V
导通电阻(RDS(on)):典型值为2.8mΩ
最大工作温度:150°C
封装类型:TO-247
MDD410-28N3 是一款高性能功率MOSFET,专为高功率密度和高效率应用而设计。其主要特性包括:
1. 高击穿电压能力:该器件具有2800V的漏-源极击穿电压,适用于高压直流电源、工业电机驱动和电焊设备等应用,能够在恶劣的电压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻:MDD410-28N3 的典型导通电阻仅为2.8mΩ,显著降低了导通损耗,提高了系统的整体能效。这使得该器件在高电流负载下仍能保持较低的温升,提高系统稳定性。
3. 高电流承载能力:最大漏极电流可达410A,适合用于大功率负载控制和高频开关电源设计。该特性使得MDD410-28N3 在需要大电流输出的应用中表现优异。
4. 快速开关特性:MDD410-28N3 具有快速的开通和关断时间,有助于减少开关损耗,提高系统的工作频率,从而减小外围电路的尺寸和重量,适用于高频变换器和逆变器设计。
5. 高热稳定性与可靠性:该器件采用先进的封装技术和优质材料,确保了良好的热管理和长期工作的可靠性。其TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能,还便于安装和维护,适用于各种工业环境。
MDD410-28N3 广泛应用于多个高功率电子系统中,主要包括:
1. 工业电源:作为高压直流电源的核心开关元件,MDD410-28N3 能够提供高效的能量转换,广泛用于通信电源、服务器电源和工业自动化设备的供电系统。
2. 电机控制与驱动:该器件适用于电机驱动器中的高频开关控制,提供高效的能量传输和稳定的电机运行性能,常见于工业电机、伺服驱动器和变频器系统中。
3. 电焊设备:MDD410-28N3 的高电流承载能力和快速开关特性使其成为电焊设备中理想的功率开关器件,能够提供稳定的输出电流和良好的焊接质量。
4. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和光伏逆变器系统中,MDD410-28N3 被广泛用于DC-AC转换电路,实现高效的能量转换和稳定的输出波形。
5. 高频变换器:由于其快速开关特性和低导通电阻,该器件非常适合用于高频DC-DC变换器设计,用于提高系统效率并减小电源体积。
MDD410-28N3 可以被以下型号替代:IXYS IXFN410N28T、Infineon FF410R28W2_B11、STMicroelectronics STW410NM50ND。