时间：2025/6/29 13:46:18
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MDD1752RH是一种高压、高功率的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），专为要求高效率和低导通电阻的应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有优异的开关特性和较低的栅极电荷，适合用于高频开关电源、电机驱动器和DC-DC转换器等应用。
型号：MDD1752RH
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源极击穿电压(Vdss)：650V
连续漏极电流(Id)：4A
导通电阻(Rds(on))：3.5Ω（最大值，在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：25nC（典型值）
总电容(Ciss)：3300pF（典型值）
工作结温范围(Tj)：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220
MDD1752RH具备高耐压能力，能够承受高达650V的漏源极击穿电压，适用于高压电路环境。
该器件的导通电阻较低，仅为3.5Ω（在Vgs=10V条件下），这有助于降低功率损耗并提升整体效率。
MDD1752RH的栅极电荷较小，仅为25nC（典型值），使得其开关速度更快，并能有效减少开关损耗。
由于采用了优化的芯片结构和封装技术，MDD1752RH能够在较宽的工作温度范围内稳定运行，从-55°C到+150°C均表现出良好的性能。
此外，该器件还具有出色的可靠性和耐用性，能够适应各种恶劣的工业和汽车环境。
MDD1752RH广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件，例如反激式变换器和正激式变换器。
2. 电机驱动器中的功率控制单元，用于实现高效的电机调速和启动。
3. 各类DC-DC转换器，以提供稳定的直流电压输出。
4. 电池管理系统(BMS)中的保护电路，确保电池组的安全运行。
5. 工业自动化设备中的负载切换和控制电路。
MDD1752RHA, IRF840, STP12NM65
