MDD142-18N1 是一款由Microsemi(现为Microchip Technology旗下品牌)制造的功率MOSFET模块,专为高功率、高频应用设计。该器件采用先进的沟槽栅场截止(Trench Field Stop)技术,具备低导通损耗和开关损耗,适用于工业电源、电机驱动、逆变器以及不间断电源(UPS)等应用场景。MDD142-18N1采用紧凑的双列直插封装(DIP),便于散热设计,并提供良好的热稳定性。
类型:功率MOSFET模块
额定电压:1800V
额定电流:142A
导通电阻(Rds(on)):典型值为14mΩ
封装类型:双列直插封装(DIP)
工作温度范围:-55°C至+175°C
最大功耗:约300W
栅极电压(Vgs):±20V
短路耐受能力:支持
技术:沟槽栅场截止(Trench Field Stop)
MDD142-18N1采用先进的沟槽栅场截止技术,使得其在高电压和高电流条件下仍能保持优异的性能。该技术通过优化电场分布,降低导通损耗和开关损耗,从而提高整体能效。此外,该模块具有出色的热性能,能够在高温环境下稳定运行,增强了器件的可靠性和寿命。
其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高系统效率。模块内部采用双列直插式封装,不仅结构紧凑,还便于安装和散热管理。此外,MDD142-18N1具有良好的短路耐受能力,能够在极端工作条件下提供额外的保护,减少系统故障风险。
该器件还支持并联使用,进一步扩展其在高功率应用中的适用性。由于其优异的性能指标,MDD142-18N1广泛应用于需要高效率、高可靠性的电力电子系统中,如工业变频器、电动车辆充电系统、可再生能源逆变器等。
MDD142-18N1主要应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统中,包括工业电机驱动、变频器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动汽车充电设备、电焊机、感应加热设备以及电力储能系统。由于其优异的导热性能和高效的开关特性,该模块特别适用于高频开关应用,有助于减小系统体积并提高整体能效。
SKM145GB180D、FF142R18KE4、IXFN142N18T