时间：2025/6/11 14:51:49
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CBR08C609B极管阵列，设计用于保护电子设备免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和其他过电压事件的损害。该器件具有低电容特性，适用于高速数据线和射频信号线的保护。
它采用超小型封装，非常适合空间受限的应用场景，并且能够提供出色的钳位性能和响应速度。
类型：肖特基二极管阵列
封装：WLCSP-8
VBR（击穿电压）：6V
最大反向工作电压：6V
最大正向电流：100mA
电容：0.8pF（典型值）
响应时间：小于1ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
CBR08C609BAGAC 提供了卓越的 ESD 保护能力，符合 IEC61000-4-2 标准，达到±20kV（空气放电）和±20kV（接触放电）。其低电容设计不会对信号完整性产生显著影响，适合高速应用环境。
此外，这款器件具备非常低的泄漏电流，通常小于1nA，从而减少了功耗并提高了系统效率。
由于采用了 WLCSP-8 封装，它不仅节省了 PCB 空间，还增强了热性能和机械稳定性。
该元器件广泛应用于消费类电子产品、通信设备以及工业自动化领域中的接口保护。
具体应用包括：
- USB、HDMI、DisplayPort 等高速数据接口保护
- 射频模块输入输出端口防护
- 移动设备天线线路保护
- 工业控制系统的信号链路防护
PESD8V0BL
SM712
SP1012
