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MDD142-14N1 发布时间 时间:2025/8/6 10:48:22 查看 阅读:26

MDD142-14N1是一种高压MOSFET模块,通常用于高功率应用,例如工业电机驱动、变频器和电源系统。该模块由多个MOSFET组成,具备高耐压和大电流能力,适合需要高效能和可靠性的场合。

参数

类型:MOSFET模块
  电压:1400V
  电流:200A
  封装类型:双列直插式(DIP)
  导通电阻:14mΩ
  工作温度范围:-50°C至+150°C
  短路耐受能力:有
  热阻:0.25°C/W
  栅极电荷:350nC

特性

MDD142-14N1的主要特性包括高电压和大电流能力,能够承受极端的工作条件。模块设计具有较低的导通电阻,以减少功率损耗和提高效率。此外,它具备良好的热管理性能,能够在高温环境下稳定运行。该模块还具备短路保护能力,有助于提高系统的可靠性。
  另一个重要特性是其紧凑的封装设计,使得在有限空间内安装变得容易,同时保证了良好的散热性能。模块内部的MOSFET结构优化,以减少开关损耗并提高整体系统效率。

应用

MDD142-14N1广泛应用于需要高功率密度和可靠性的系统中,如工业电机驱动、变频器、UPS(不间断电源)、焊接设备和太阳能逆变器等。它也可以用于电动汽车充电设备和高功率电源供应器中,以提供稳定的电力转换和管理。

替代型号

SKM200GB146D, FF200R12KT4

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MDD142-14N1参数

  • 标准包装6
  • 类别半导体模块
  • 家庭二极管,整流器
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.3V @ 300A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电20mA @ 1400V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)165A
  • 电压 - (Vr)(最大)1400V(1.4kV)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 二极管类型标准
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 二极管配置1 对串联
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳Y4-M6
  • 供应商设备封装Y4-M6
  • 包装散装