时间：2025/8/5 12:34:10
阅读：29
MDD132-16N1 是一款由Microsemi（现为L3Harris Technologies的一部分）生产的高功率双极型晶体管（BJT）模块，专为高电压和高电流应用设计。该器件采用绝缘金属基板（IMB）封装技术，具备良好的热管理和电气隔离性能，适用于工业、能源和电力系统中的功率转换和控制。
类型：NPN双极型晶体管模块
集电极-发射极电压（Vce）：1600V
集电极电流（Ic）：132A
功率耗散（Ptot）：800W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：模块封装，带绝缘基板
短路耐受能力：支持
MDD132-16N1 是一款高性能的功率晶体管模块，具有出色的电气和热性能。该器件的集电极-发射极电压为1600V，能够承受高电压应力，适用于高压电源和变频器等应用。其额定集电极电流为132A，能够在高负载条件下稳定运行。
此外，该模块的功率耗散能力为800W，结合高效的热管理设计，使其能够在高温环境下工作而不影响性能。器件的封装采用了绝缘金属基板技术，确保了良好的电气隔离和散热效果，同时简化了安装过程。
MDD132-16N1 还具备短路保护能力，能够在异常工作条件下提供额外的可靠性。该器件的宽工作温度范围（-55°C至+150°C）也使其适用于极端环境条件下的工业和能源系统。
MDD132-16N1 主要应用于高功率电子设备中，如电力电子变换器、电机驱动器、工业电源、UPS系统、可再生能源系统（如太阳能逆变器）以及焊接设备。由于其高电压和高电流能力，该晶体管模块特别适合需要高效能和高可靠性的场合。
MDD132-16N1 可以被 APT132N160BD、CM132N160LB、MDD132-16A1 等型号替代，但需根据具体应用条件进行电气和热设计验证。
