器件类型：GaN HEMT RF功率晶体管
　　工作频率：2.7 GHz - 3.5 GHz
　　漏极电流（Id）：1080 mA
　　漏源电压（Vds）：28 V
　　输出功率：典型值 80 W（在3.5 GHz时）
　　增益：典型值 18 dB
　　效率：典型值 60%
　　封装类型：螺栓安装陶瓷封装
　　输入/输出阻抗：50 Ω

MDA1080-18N7 采用先进的氮化镓（GaN）技术，具有出色的高频性能和高功率密度，使其在高频段（2.7 GHz - 3.5 GHz）内能够提供高达80 W的输出功率。该器件具有高增益（约18 dB）和高效率（通常超过60%），适合于需要高线性度和高可靠性的应用。
　　此外，MDA1080-18N7 采用螺栓安装的陶瓷封装，确保良好的热管理和机械稳定性，能够在恶劣的环境条件下稳定运行。该器件的输入/输出阻抗优化为50 Ω，简化了与射频系统的匹配设计，提高了整体系统的集成度和性能。
　　其高可靠性和高耐用性使其成为通信基站、雷达系统、测试仪器和射频能量应用中的理想选择。

MDA1080-18N7 主要用于需要高功率、高效率和高频率响应的射频系统中。典型应用包括4G/5G通信基站、雷达发射模块、射频测试设备、工业射频加热系统以及高功率无线基础设施设备。由于其在2.7 GHz至3.5 GHz频率范围内的优异性能，该器件特别适合用于现代通信系统中的功率放大器设计，能够有效提升系统的传输距离和信号质量。

MDA1080-18N7 可以作为 MDA1080-18N 或 MDA1080-18 的替代型号使用。此外，类似的 GaN HEMT 功率晶体管如 Cree/Wolfspeed 的 CGH40080 和 Qorvo 的 TGF2823 也可以作为替代选项，具体取决于设计需求和系统要求。