MD8748BH/B 时间：2025/12/26 18:10:32 阅读：15

MD8748BH/B是一款由Magnachip Semiconductor生产的高性能、高可靠性的P沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备等场合。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术制造，能够在低栅极电压下实现优异的导通性能，特别适合于需要高效能和小尺寸封装的应用场景。其封装形式为SOT-23（SOT-23-3），是一种小型表面贴装封装，便于在空间受限的PCB设计中使用。由于其出色的电气特性和热稳定性，MD8748BH/B在消费电子、便携式设备、工业控制及通信系统中得到了广泛应用。
　　该器件的主要优势在于其低阈值电压（VGS(th)）特性，使其能够与3.3V或甚至更低的逻辑电平直接兼容，无需额外的电平转换电路。此外，其P沟道结构允许在高边开关配置中使用，简化了电源路径的设计。在正常工作条件下，MD8748BH/B能够承受一定的瞬态电流冲击，并具备良好的热关断保护能力，提升了系统的整体可靠性。制造商Magnachip在其产品文档中强调了该器件的长期供货保障和符合RoHS环保标准的特点，适用于大批量自动化生产和绿色电子产品设计。

参数

型号：MD8748BH/B
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大连续漏极电流（ID）：-4.1A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.0V
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ @ VGS = -10V
　　导通电阻（RDS(on)）：60mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：80mΩ @ VGS = -2.5V
　　输入电容（Ciss）：520pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间（trr）：未指定（体二极管）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

MD8748BH/B具备多项关键特性，使其在同类P沟道MOSFET中表现出色。首先，其低阈值电压特性使得该器件可以在较低的栅极驱动电压下完全导通，通常在-2.5V左右即可实现有效控制，这使其非常适合用于由3.3V或2.5V逻辑信号直接驱动的应用场景，例如微控制器I/O口直接控制电源开关。这种低电压驱动能力减少了对外部驱动电路的需求，降低了系统复杂性和成本。其次，该器件具有非常低的导通电阻，在VGS = -10V时RDS(on)仅为45mΩ，而在更常见的-4.5V驱动条件下仍可保持60mΩ的低阻值，这意味着在大电流通过时功耗和发热都显著降低，提高了电源转换效率并延长了电池寿命。
　　此外，MD8748BH/B采用了先进的沟槽式工艺技术，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积的电流承载能力，同时改善了热传导性能。其SOT-23封装虽然体积小巧，但经过优化设计后仍具备良好的散热能力，能够在有限的空间内稳定工作。该器件还具备良好的雪崩耐受能力和静电放电（ESD）防护性能，增强了在恶劣工作环境下的鲁棒性。其体二极管具有较快的反向恢复特性，有助于减少开关过程中的能量损耗，尤其在同步整流或感性负载切换应用中表现优异。最后，该器件符合国际环保标准，无铅且符合RoHS指令，支持回流焊工艺，适合现代自动化生产线的大规模应用。

应用

MD8748BH/B常用于多种电源管理拓扑结构中，尤其是在需要高边开关控制的场合。典型应用包括便携式电子设备中的电池电源开关，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于控制主电源的通断以实现节能待机模式。在DC-DC降压转换器中，它可作为高端开关元件，配合控制器实现高效的电压调节。此外，该器件也广泛应用于负载开关电路，用于隔离不同的电源域或外设模块，防止上电时的浪涌电流影响系统稳定性。在热插拔电路中，MD8748BH/B可用于平滑地接入或断开电源负载，避免电压跌落或总线干扰。工业控制系统中的继电器替代方案也常采用此类MOSFET，利用其无机械磨损、响应速度快的优点提升系统可靠性。其他应用场景还包括LED驱动电路、电机控制中的H桥上臂开关、USB电源管理以及各类低功耗嵌入式系统中的电源路径控制。由于其小封装和高性能的平衡，MD8748BH/B特别适合对空间和能效有严格要求的设计。