MD82C83H/B 是一款高性能的 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM),具有高速、低功耗的特点。该芯片广泛应用于需要快速数据访问和高可靠性的场景,例如工业控制、通信设备和嵌入式系统。
该型号采用了先进的制造工艺,确保了在高温和恶劣环境下的稳定性。此外,其静态设计无需刷新操作,简化了系统设计并提高了数据的可靠性。
容量:16K x 8位
工作电压:4.5V 至 5.5V
访问时间:15ns(典型值)
功耗:工作模式下 100mA,待机模式下 20μA
封装类型:44 引脚 PLCC 和 44 引脚 TQFP
温度范围:-40°C 至 +85°C
数据保持时间:无限期(只要电源不断开)
MD82C83H/B 具有以下显著特点:
1. 快速访问时间使其适用于对速度要求较高的应用。
2. 提供两种不同的封装选择,满足不同设计需求。
3. 内置写保护功能,防止意外数据写入。
4. 支持字节宽度访问,便于与各种微处理器接口。
5. 高抗干扰能力,适合在复杂电磁环境下使用。
6. 芯片内置上电复位功能,确保系统启动时的数据完整性。
7. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代绿色产品设计。
MD82C83H/B 广泛用于以下领域:
1. 工业自动化设备中的临时数据缓冲。
2. 通信网络设备中的协议转换和数据暂存。
3. 嵌入式系统中的代码或配置存储。
4. 医疗设备中需要高可靠性和快速响应的应用。
5. 汽车电子模块中的状态信息保存。
6. 测量仪器和数据采集系统的缓存解决方案。
由于其出色的性能和稳定性,MD82C83H/B 成为许多关键应用的理想选择。
MD82C83H/A, CY62167EV30, IS61LV25616LL