BS4200N-2C 时间：2025/5/26 19:10:08 阅读：28

BS4200N-2C 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，广泛应用于高频、高功率场景。该器件具有出色的开关性能和低导通电阻特性，适合于电源管理、射频放大器以及高速开关电路等应用领域。
　　这款 GaN 晶体管采用了先进的封装技术，能够显著提高系统的效率和功率密度。同时，它还具备良好的热稳定性和耐高压能力，使其在各种恶劣环境下都能保持可靠运行。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：42A
　　导通电阻：45mΩ
　　栅极电荷：120nC
　　开关频率：高达3MHz
　　工作温度范围：-55℃至+175℃

特性

BS4200N-2C 的主要特性包括：
　　1. 高击穿电压：支持高达600V的工作电压，确保在高压环境下的稳定性。
　　2. 低导通电阻：仅45mΩ的导通电阻有效降低了传导损耗，提升了整体效率。
　　3. 快速开关速度：得益于其GaN材料优势，可以实现高达3MHz的开关频率，适用于高频应用。
　　4. 小尺寸设计：采用紧凑型封装，节省PCB空间。
　　5. 高可靠性：通过严格的质量控制流程制造，保证长期使用的可靠性。
　　6. 宽工作温度范围：能够在极端温度条件下正常运作，适应多种应用场景需求。

应用

BS4200N-2C 广泛用于以下领域：
　　1. 高效电源转换器：如DC-DC变换器、AC-DC适配器。
　　2. 射频功率放大器：适用于无线通信基站和其他需要高输出功率的射频系统。
　　3. 电机驱动：为电动汽车、工业自动化设备中的电机提供高效驱动方案。
　　4. 充电器与逆变器：用于快充充电器及太阳能逆变器中以提升能量转换效率。
　　5. 数据中心供电模块：帮助构建更加节能的数据中心基础设施。