BS4200N-2C 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT),广泛应用于高频、高功率场景。该器件具有出色的开关性能和低导通电阻特性,适合于电源管理、射频放大器以及高速开关电路等应用领域。
这款 GaN 晶体管采用了先进的封装技术,能够显著提高系统的效率和功率密度。同时,它还具备良好的热稳定性和耐高压能力,使其在各种恶劣环境下都能保持可靠运行。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:42A
导通电阻:45mΩ
栅极电荷:120nC
开关频率:高达3MHz
工作温度范围:-55℃至+175℃
BS4200N-2C 的主要特性包括:
1. 高击穿电压:支持高达600V的工作电压,确保在高压环境下的稳定性。
2. 低导通电阻:仅45mΩ的导通电阻有效降低了传导损耗,提升了整体效率。
3. 快速开关速度:得益于其GaN材料优势,可以实现高达3MHz的开关频率,适用于高频应用。
4. 小尺寸设计:采用紧凑型封装,节省PCB空间。
5. 高可靠性:通过严格的质量控制流程制造,保证长期使用的可靠性。
6. 宽工作温度范围:能够在极端温度条件下正常运作,适应多种应用场景需求。
BS4200N-2C 广泛用于以下领域:
1. 高效电源转换器:如DC-DC变换器、AC-DC适配器。
2. 射频功率放大器:适用于无线通信基站和其他需要高输出功率的射频系统。
3. 电机驱动:为电动汽车、工业自动化设备中的电机提供高效驱动方案。
4. 充电器与逆变器:用于快充充电器及太阳能逆变器中以提升能量转换效率。
5. 数据中心供电模块:帮助构建更加节能的数据中心基础设施。
GS66508T
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