MD6D0013 是一款由 STMicroelectronics 生产的高效、低功耗的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,广泛用于电源管理和功率转换应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽栅技术,提供较低的导通电阻和较高的开关性能,适用于多种高效率电源系统。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大漏极电流(Id):13A
导通电阻(Rds(on)):约7.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极阈值电压(Vgs(th)):1V至2.5V
最大功率耗散(Pd):50W
工作温度范围:-55°C至175°C
MD6D0013 MOSFET具备多项关键特性,使其在电源应用中表现卓越。首先,其低导通电阻能够显著减少导通损耗,从而提高整体系统的效率。此外,该器件的高电流承载能力(13A)使其适用于高功率密度的设计,如DC-DC转换器、同步整流器和电机控制电路。
其次,该MOSFET采用了先进的沟槽栅技术,使其在开关过程中具备更快的上升和下降时间,从而降低了开关损耗。同时,其栅极阈值电压范围适中(1V至2.5V),确保了良好的驱动兼容性,适用于多种栅极驱动器IC。
另外,MD6D0013具备良好的热稳定性和耐高温能力,工作温度范围从-55°C到175°C,使其适用于工业级和汽车级应用环境。该器件还具备较强的雪崩能量耐受能力,增强了在高应力工作条件下的可靠性。
MD6D0013 MOSFET主要应用于高效率电源管理系统中,包括但不限于以下领域:
1. DC-DC转换器:适用于高电流、高效率的降压或升压转换器设计,广泛用于通信设备、服务器电源和工业控制系统。
2. 电池管理系统:在电动工具、电动汽车和储能系统中用于电池充放电管理电路。
3. 电机控制:适用于无刷直流电机(BLDC)驱动器和伺服控制系统,提供高效的功率开关。
4. 同步整流器:用于提高AC-DC电源转换器的效率,替代传统的肖特基二极管。
5. 汽车电子:适用于车载充电器、起停系统和车身控制模块等汽车电源应用。
IRFZ44N, STP16NF06, FDP6670, SiR178DP