LMUN5131T1G 时间：2025/8/13 21:38:09 阅读：16

LMUN5131T1G 是一款由ON Semiconductor生产的双极型晶体管（BJT）与偏置电阻集成的晶体管阵列器件。该器件内部集成了两个NPN晶体管，并且每个晶体管的基极和发射极之间都集成了偏置电阻。这种设计有效地减少了外部电路所需的元件数量，提高了电路设计的紧凑性和可靠性。LMUN5131T1G适用于需要低功耗和高集成度的电路设计，尤其是在需要多个晶体管协同工作的场合。

参数

类型：NPN晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（Vce）：50V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23-5
　　偏置电阻值：基极-发射极电阻为10kΩ

特性

LMUN5131T1G 的主要特性之一是其高度集成的设计，内部集成了两个NPN晶体管及其偏置电阻。这种集成设计不仅简化了电路布局，还减少了外部元件的需求，提高了整体电路的可靠性和稳定性。
　　该器件的晶体管具有良好的电流放大性能，适用于需要高增益的应用场合。其集电极电流额定值为100mA，能够满足大多数低功耗电路的需求。此外，该器件的集电极-发射极电压额定值为50V，使其能够在较宽的电压范围内正常工作。
　　LMUN5131T1G 采用SOT-23-5封装，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种工业和汽车应用环境。
　　偏置电阻的集成使得该器件在使用时无需额外的偏置电路，简化了设计流程并降低了成本。这种特性特别适用于需要多个晶体管同时工作的场合，如多级放大电路、逻辑门电路和开关电路等。

应用

LMUN5131T1G 主要应用于需要多个晶体管协同工作的电路设计中，例如多级放大器、逻辑门电路和开关控制电路等。其高度集成的设计使其在工业控制、汽车电子和消费类电子产品中得到了广泛的应用。
　　在工业控制领域，该器件可用于设计多路信号放大电路和逻辑控制电路，提高系统的可靠性和稳定性。在汽车电子领域，LMUN5131T1G 可用于设计车载控制模块和传感器接口电路，满足汽车电子对高可靠性和宽工作温度范围的要求。
　　此外，该器件也适用于消费类电子产品，如音频放大器、电源管理和LED驱动电路等。其紧凑的设计和低功耗特性使其成为便携式电子设备的理想选择。