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MD55-16 发布时间 时间:2025/8/5 13:03:18 查看 阅读:23

MD55-16 是一款由 MagnaChip 半导体公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高效率、高频率开关应用设计,广泛应用于电源转换、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制以及各种消费类和工业类电子设备中。MD55-16 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具备低导通电阻(Rds(on))和优异的热性能,使其在高电流负载下依然保持较低的功率损耗。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大漏极电流(Id):5.5A(连续)
  导通电阻 Rds(on):最大 160mΩ(在 Vgs=10V)
  栅极阈值电压 Vgs(th):1V ~ 2.5V
  功耗(Pd):1.4W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

MD55-16 具备一系列优良的电气和热特性,适用于多种功率管理场景。其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,从而提高了系统的整体效率。该 MOSFET 支持高频开关操作,适用于现代开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器等对效率和响应速度有较高要求的应用。此外,MD55-16 的 TO-252 封装具备良好的热管理能力,能够在高电流条件下维持稳定的运行温度,提高器件的可靠性和使用寿命。
  该器件还具有较强的抗静电能力和较高的可靠性,能够在复杂电磁环境下稳定工作。其栅极驱动电压范围较宽,适用于多种驱动电路设计。MD55-16 的设计优化了开关特性和导通损耗之间的平衡,使得其在中低功率应用中表现尤为出色。此外,该器件的生产符合 RoHS 标准,支持环保应用需求。

应用

MD55-16 主要用于需要高效能、高频率开关的功率电子系统中。典型应用包括但不限于:开关电源(SMPS)、同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动电路、LED 驱动器、电池管理系统、便携式设备电源管理模块以及各种工业控制和自动化设备中的功率控制部分。由于其低导通电阻和良好的热性能,MD55-16 在高效率和小型化设计中表现出色,是许多中低功率应用的理想选择。

替代型号

Si4446BDY, IRF7413, FDS6680, AO4406

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