MD53R50 时间：2025/11/8 9:48:35 阅读：11

MD53R50是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的表面贴装型肖特基势垒二极管（SBD），主要用于电源整流、反向电压保护以及高频开关电路中。该器件采用先进的平面结构和高可靠性工艺制造，具备低正向电压降（VF）和快速恢复特性，能够有效降低功耗并提升系统效率。MD53R50的额定反向重复电压（VRRM）为50V，最大平均整流电流（IO）可达1A，在小尺寸SOD-123FL封装下实现了优异的热性能与电气性能平衡。由于其小型化设计和高效率特点，这款二极管广泛应用于便携式电子设备、DC-DC转换器、适配器、充电器以及其他需要高效能整流解决方案的场合。此外，MD53R50符合RoHS环保标准，并具有无卤素（Halogen-free）和AEC-Q101汽车级可靠性认证，适用于对环境和可靠性要求较高的工业及车载电子产品。其稳定的温度特性和良好的浪涌电流承受能力进一步增强了在实际应用中的适应性与安全性。

参数

型号：MD53R50
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　产品类型：肖特基势垒二极管
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　最大重复反向电压 VRRM：50V
　　最大直流阻断电压 VR：50V
　　最大平均整流电流 IO：1A
　　峰值正向浪涌电流 IFSM：30A
　　正向压降 VF（典型值）：450mV @ 1A, 25°C
　　最大正向压降 VF（最大值）：600mV @ 1A, 25°C
　　反向漏电流 IR（最大值）：50μA @ 50V, 25°C
　　反向恢复时间 trr：≤ 15ns
　　工作结温范围 TJ：-55°C 至 +150°C
　　热阻 Rth(j-a)：250°C/W
　　安装类型：表面贴装 SMT

特性

MD53R50的核心优势在于其采用了高性能的肖特基势垒结构，这种结构通过金属-半导体接触形成整流效应，相较于传统的PN结二极管，显著降低了正向导通压降（VF）。在1A的工作电流下，其典型VF仅为450mV，最高不超过600mV，这意味着在大电流条件下功耗更低，发热更少，从而提高了整个电源系统的能效。这一特性尤其适合用于电池供电设备或对能耗敏感的应用场景，例如智能手机、可穿戴设备和物联网终端等。
　　该器件具备出色的动态响应能力，反向恢复时间trr不超过15纳秒，表现出极快的开关速度，能够在高频开关电源中稳定运行而不产生明显的反向恢复损耗。这对于现代高频率工作的DC-DC变换器至关重要，有助于减少电磁干扰（EMI）并提高转换效率。同时，短的恢复时间也意味着更低的噪声生成，有利于提升整体信号完整性。
　　MD53R50采用紧凑的SOD-123FL超薄小型封装，尺寸仅为2.7mm × 1.6mm × 1.1mm，非常适合空间受限的高密度PCB布局。该封装具有优良的散热性能和机械强度，支持回流焊工艺，便于自动化生产装配。此外，器件经过严格的老化测试和可靠性验证，满足AEC-Q101汽车电子标准，可在恶劣环境下长期稳定工作，适用于车载充电系统、LED照明驱动模块和车身控制单元等严苛应用场景。
　　在环境适应性方面，MD53R50不仅符合RoHS指令要求，还实现了无卤素设计，减少了有害物质的使用，符合当前绿色电子的发展趋势。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 +150°C）使其能在极端高低温环境中保持正常功能，展现出卓越的热稳定性。综合来看，MD53R50是一款集高效、可靠、环保于一体的先进肖特基二极管，是中小功率整流应用的理想选择。

应用

MD53R50广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电子系统中。常见用途包括AC-DC和DC-DC电源转换器中的输出整流部分，特别是在同步整流架构尚未普及的小功率电源中发挥关键作用。它也被大量用于USB充电器、适配器、移动电源等消费类电子产品中，作为防止反接和提供电压钳位的保护元件。在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于电池充放电路径的隔离与保护，确保电流单向流动以避免反向放电风险。
　　在工业控制领域，MD53R50常被集成于PLC模块、传感器供电电路和继电器驱动回路中，用作续流二极管或反激能量释放路径，有效吸收感性负载断开时产生的反电动势，保护主控芯片免受高压冲击。其快速恢复特性在此类应用中尤为重要，可以迅速泄放储能，防止电压尖峰造成损坏。
　　在汽车电子方面，得益于其AEC-Q101认证和良好的温度耐受能力，MD53R50适用于车载信息娱乐系统、仪表盘电源管理、车灯驱动电路以及车身网络节点的供电模块。此外，在便携式医疗设备、智能家居网关和无线通信模块中，该器件因其低功耗和小尺寸优势而备受青睐，帮助实现更轻薄、更节能的产品设计。总之，凡是有中低电流整流需求且追求高效率与高可靠性的场合，MD53R50都是一个极具竞争力的解决方案。