时间:2025/10/28 14:12:19
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MD27C64是一款由Magnachip生产的64Kbit(8K x 8)紫外线擦除可编程只读存储器(UV-EPROM),广泛应用于需要非易失性程序存储的嵌入式系统和工业控制设备中。该芯片采用标准的JEDEC封装形式,通常为28引脚DIP(双列直插式封装)或PLCC(塑料引线芯片载体),便于在传统电路板上进行安装与更换。MD27C64的设计基于CMOS技术,具有较低的功耗和较高的抗干扰能力,适合在工业级温度范围内稳定运行。该器件的主要功能是在断电后仍能保留存储的数据,用户可通过高压编程方式将程序或数据写入芯片,并通过暴露于紫外线光源下进行批量擦除,以便重复使用。由于其结构简单、可靠性高且成本较低,MD27C64曾广泛用于老式微控制器系统、通信设备、打印机固件模块以及各种消费类电子产品中。尽管现代系统更多采用闪存等更先进的非易失性存储技术,但MD27C64仍在一些维护现有设备或教育实验场景中发挥着作用。
容量:64 Kbit (8K x 8)
组织结构:8192字节 x 8位
工作电压:+5V ± 10%
访问时间:典型值为150ns、200ns、250ns(根据速度等级划分)
工作电流:最大典型值为30mA(在读取模式下)
待机电流:最大典型值为100μA
编程电压:Vpp = +12.5V 或 +21V(取决于具体型号后缀)
封装形式:28-pin DIP, 28-pin PLCC
工作温度范围:商业级(0°C 至 +70°C)和工业级(-40°C 至 +85°C)可选
擦除方式:紫外线擦除(需照射波长约253.7nm的UV光,持续时间约15–20分钟)
编程方法:字节编程,通过ALTERA或通用EPROM编程器实现
MD27C64具备多项关键特性,使其成为上世纪末至本世纪初广泛应用的非易失性存储解决方案之一。首先,该芯片采用高性能的浮栅隧道氧化物(Floating Gate Tunnel Oxide)技术,确保了数据在无电源供应的情况下可长期保存,典型数据保持时间为10年以上,满足大多数工业和商业应用的需求。其次,其快速读取访问时间(最短可达150ns)使得它能够与多种微处理器和微控制器高效配合,适用于对响应速度有一定要求的应用场合。此外,MD27C64支持标准的+5V供电,兼容TTL电平输入输出,无需额外的电平转换电路,简化了系统设计。
该器件还具备良好的抗辐射和抗干扰性能,在电磁环境复杂的工业现场仍能可靠工作。编程过程通过施加较高的Vpp电压(通常为12.5V或21V)完成,每个字节可以独立编程,编程算法由外部编程器自动控制,保证写入准确性。擦除操作则需要将芯片从电路板上取出,并置于专用紫外线擦除器中,曝光约15到20分钟后即可清除全部内容,之后可重新编程。这种物理擦除机制虽然不如现代闪存便捷,但在防止误写和提升安全性方面具有一定优势。
Magnachip在制造工艺上采用了可靠的CMOS制程,有效降低了静态功耗,提升了芯片的整体能效。同时,该器件提供多种封装选项,包括通孔安装的DIP和表面贴装的PLCC,适应不同的PCB布局需求。另外,MD27C64符合RoHS指令的部分早期版本(视具体批次而定),并在生产过程中实施严格的质量控制流程,确保批次一致性与长期供货稳定性。虽然目前已被更先进的EEPROM和Flash技术逐步取代,但其坚固耐用、易于理解的架构使其在教学、维修和逆向工程领域依然具有实用价值。
MD27C64主要应用于需要可重复编程且断电后保留数据的场景。常见用途包括老旧工业控制系统中的固件存储,例如PLC模块、数控机床和自动化仪表;在通信设备中用于存储启动代码或配置信息,如调制解调器、路由器和交换机的早期版本;也广泛用于消费类电子产品,如彩色电视机、音响设备和打印机的BIOS存储。此外,该芯片在教育实验平台和电子爱好者项目中被用作学习EPROM编程原理的教学工具,帮助学生理解非易失性存储器的工作机制。由于其紫外线擦除特性,它也被用于需要高安全性和防篡改能力的小规模系统中,确保未经授权无法轻易修改内部程序。尽管新型系统已普遍转向串行EEPROM或SPI Flash,但在设备维护、备件替换和技术升级过程中,MD27C64仍然扮演着重要角色,尤其是在无法更换主控板的老式设备中。
M27C64A
27C64
SST39SF040
AT27C640