工作频率范围：DC ~ 10 GHz
　　增益：约20 dB（典型值）
　　噪声系数：约2.5 dB（典型值）
　　输出P1dB：约 +10 dBm（典型值）
　　OIP3（三阶交调点）：约 +20 dBm（典型值）
　　工作电压：+3 V
　　工作电流：约 60 mA
　　输入/输出阻抗：50 Ω
　　封装类型：8引脚 TDFN（3 mm x 3 mm）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

HMC478ST89ETR具备卓越的宽带低噪声放大性能，其核心特性之一是在DC至10 GHz的超宽频率范围内实现稳定且高效的射频增益表现。该器件在全频段内提供大约20 dB的高增益，同时保持低于2.5 dB的极低噪声系数，这使得它能够有效提升微弱信号的信噪比，特别适用于接收机前端以增强系统灵敏度。其高增益与低噪声的结合显著改善了整个通信链路的动态范围和接收性能。
　　HMC478ST89ETR采用GaAs MMIC工艺，具备良好的热稳定性和高频响应能力，能够在复杂的射频环境中维持一致的工作状态。该放大器具有优良的线性度指标，典型OIP3达到+20 dBm，输出P1dB约为+10 dBm，表明其在处理较强干扰信号时仍能保持较低的失真水平，避免非线性产物对接收通道造成影响，从而适用于多载波或高密度调制信号环境。
　　该器件集成了内部输入和输出匹配电路，支持50欧姆阻抗匹配，无需额外的外部匹配元件即可实现良好驻波比和回波损耗，大幅简化了射频电路的设计难度和PCB面积占用。这种集成化设计也提升了产品的一致性与生产良率。
　　供电方面，HMC478ST89ETR仅需+3V单电源即可正常工作，典型工作电流为60mA左右，整体功耗控制在约180mW，属于低功耗高性能器件，适合便携式设备或对能效有要求的应用场合。其小型化的8引脚TDFN封装（3mm × 3mm）不仅节省空间，还具备良好的散热性能和高频寄生参数控制，适应现代高密度SMT组装工艺。
　　此外，HMC478ST89ETR工作温度范围宽达-40°C至+85°C，满足工业级和部分军用环境的要求，具备较强的环境适应能力。器件符合RoHS指令，支持无铅回流焊工艺，便于在全球范围内推广应用。综合来看，HMC478ST89ETR以其宽带宽、低噪声、高增益、集成度高和小尺寸等优势，成为高端射频系统中不可或缺的关键组件。

HMC478ST89ETR广泛应用于需要高性能宽带低噪声放大的射频与微波系统中。典型应用场景包括点对点和点对多点的微波通信系统，例如无线回传网络（Backhaul Networks），其中该器件用于接收链路前端以放大来自天线的微弱信号，提高系统接收灵敏度和链路预算。在卫星通信地面站设备中，HMC478ST89ETR可用于L波段至X波段的上变频或下变频路径中，作为低噪声放大器来增强信号质量，降低传输误码率。
　　该器件也常见于军用雷达和电子战（EW）系统中，因其宽频带特性和良好的瞬态响应能力，可支持宽带侦测、信号采集与监视功能。在测试与测量仪器领域，如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪中，HMC478ST89ETR被用作前端放大模块，以补偿测试夹具或电缆带来的插入损耗，确保测量精度。
　　此外，在宽带无线接入系统（如5G毫米波原型系统、WiGig等）、光纤无线融合网络（RoF）以及高速数据链路中，HMC478ST89ETR同样发挥着关键作用。其直流耦合架构允许其在极低频率甚至静态信号条件下正常工作，扩展了其在超宽带（UWB）脉冲雷达和高速数字通信中的适用性。
　　由于其高集成度和无需外部匹配的特点，该芯片也被广泛用于紧凑型模块化设计，如MMIC子系统、SiP（系统级封装）和RFoG（Radio over Glass）模块中。总之，HMC478ST89ETR凭借其优异的电气性能和可靠的封装设计，已成为现代高频通信与传感系统中广泛应用的核心低噪声放大解决方案之一。

HMC660LC4TR
　　HMC314LC5TR
　　ADPA7000