MD27C128-20/B 时间：2025/6/9 15:17:10 阅读：6

MD27C128-20/B 是一种 CMOS 工艺制造的静态随机存取存储器（SRAM），具有高速、低功耗的特点。该芯片提供了 128K x 8 的存储容量，适用于需要高可靠性和快速数据访问的应用场景。
　　其设计采用了先进的封装技术，确保了在各种工业和商业环境下的稳定运行。由于 SRAM 不需要刷新操作，因此它在数据保持方面表现优异，适合用于缓存、缓冲区和其他实时数据处理应用。

参数

存储容量：128K x 8
　　工作电压：4.5V 至 5.5V
　　访问时间：20ns
　　数据保留时间：无限（供电条件下）
　　封装形式：44 引脚 PLCC 或 DIP
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级），-40°C 至 +85°C（工业级）
　　I/O 结构：三态输出
　　静态电流：最大 20mA
　　动态电流：最大 35mA

特性

MD27C128-20/B 提供了高性能的静态存储解决方案。
　　1. 高速访问能力：20ns 的访问时间使得该芯片能够满足对速度要求较高的应用需求。
　　2. 低功耗设计：在待机模式下，芯片可以显著降低功耗，延长系统的续航时间。
　　3. 简化的接口：无需刷新电路，减少了系统设计的复杂性。
　　4. 可靠性高：采用 CMOS 技术制造，具备较强的抗干扰能力和稳定性。
　　5. 多种封装选项：PLCC 和 DIP 封装满足不同的安装需求，便于集成到各种设备中。

应用

MD27C128-20/B 广泛应用于需要高速数据读写和大容量存储的场合。
　　1. 工业控制：用于 PLC、数据采集系统等需要快速响应的工业设备。
　　2. 通信设备：作为缓存或临时存储单元，用于路由器、交换机等网络设备。
　　3. 医疗设备：用于超声波设备、监护仪等需要实时数据处理的医疗仪器。
　　4. 消费类电子产品：如数码相机、打印机中的缓存模块。
　　5. 嵌入式系统：为微控制器提供额外的存储空间，增强系统的功能和性能。