时间：2025/8/2 8:23:44
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SIA445EDJ-T1-GE3 是 Vishay 公司生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等领域。该器件采用先进的 TrenchFET 技术，具有低导通电阻、高效率和良好的热性能。SIA445EDJ-T1-GE3 采用 8 引脚 SOIC 封装，符合 RoHS 标准，并具有高可靠性。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：10A（Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：17mΩ @ Vgs=10V
导通电阻（Rds(on)）：24mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
封装类型：8-SOIC
SIA445EDJ-T1-GE3 MOSFET 采用了 Vishay 的 TrenchFET 技术，使其在同类产品中具有更低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了整体效率。其 17mΩ 的 Rds(on) 在 Vgs=10V 时表现优异，适用于高效率电源设计。此外，该器件在 Vgs=4.5V 时的导通电阻为 24mΩ，表明其在较低的栅极驱动电压下仍能保持良好的性能，适用于多种驱动电路。
该 MOSFET 支持高达 10A 的连续漏极电流，在散热良好的条件下可以支持更高的负载。其封装形式为 8 引脚 SOIC，具有良好的热管理能力，并且体积小巧，适合高密度 PCB 设计。该器件的工作温度范围宽达 -55℃ 至 150℃，适用于工业级应用环境。
另外，SIA445EDJ-T1-GE3 具有良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压情况下提供一定的保护作用。其栅极驱动电压范围较宽，兼容多种控制电路，包括常见的 5V 和 10V 驱动器。该器件的快速开关特性也有助于减少开关损耗，提高系统效率。
SIA445EDJ-T1-GE3 MOSFET 常用于各类电源管理系统，如同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制部分。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效能、小型化电源设计的理想选择。
Si4456EDJ-T1-GE3, FDS445N, IRF7404, AO4456
