MD2764A/B 时间：2025/10/29 9:32:31 阅读：23

MD2764A/B是一款由Magnachip Semiconductor生产的P沟道增强型MOS场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、开关控制以及负载切换等低电压、中等电流的场合。该器件采用先进的高压工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于多种便携式电子设备和工业控制系统。MD2764A/B的主要特点在于其低导通电阻（RDS(on)）、高击穿电压以及优异的开关性能，使其在DC-DC转换器、电池供电系统、电机驱动以及其他需要高效能功率开关的应用中表现出色。该器件通常封装于SOT-23或SOT-323等小型表面贴装封装中，便于在高密度PCB布局中使用，并具有良好的散热性能。由于其P沟道结构，在栅极施加相对于源极为负的电压时可实现导通，常用于高端开关配置中，无需额外的电平移位电路，从而简化了系统设计。此外，MD2764A/B具备良好的抗静电能力（ESD保护）和过温保护特性，提升了在恶劣工作环境下的稳定性与安全性。

参数

型号：MD2764A/B
　　极性：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-150mA @ -10V VGS
　　脉冲漏极电流（IDM）：-400mA
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 4.5Ω @ -10V VGS，最大值 6.5Ω @ -10V VGS
　　阈值电压（Vth）：典型值 -1.5V，范围 -1.0V 至 -2.5V
　　输入电容（Ciss）：约 110pF @ -10V VDS
　　输出电容（Coss）：约 65pF
　　反向传输电容（Crss）：约 15pF
　　功耗（PD）：300mW（SOT-23封装）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

MD2764A/B的P沟道MOSFET结构使其在高端开关应用中具有天然优势，尤其适合用于电池供电系统中的电源通断控制。当用作高端开关时，其源极连接至正电源，通过控制栅极电平来实现对负载的供电管理。由于其阈值电压较低，通常在-1.0V到-2.5V之间，因此可以使用逻辑电平信号直接驱动，无需额外的驱动电路，极大简化了系统设计复杂度。该器件的导通电阻典型值仅为4.5Ω，在低电流应用场景下能够有效降低导通损耗，提高整体系统效率。同时，其最大漏源电压达到-60V，具备较高的电压耐受能力，可在瞬态电压波动或感性负载切换过程中提供可靠的保护作用。
　　该器件采用了先进的高压CMOS工艺，确保了在高温和高电压条件下的长期稳定运行。其热阻特性良好，结合SOT-23等小型封装形式，能够在紧凑空间内实现高效的热量散发。此外，MD2764A/B具备较强的抗干扰能力和抗静电能力，输入端口可承受一定水平的ESD冲击，增强了在实际应用中的鲁棒性。其电容参数（如Ciss、Coss、Crss）经过优化，有助于减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），提升高频开关应用的性能表现。在待机或关闭状态下，栅极输入电流极小，几乎不消耗静态电流，有利于延长电池寿命，特别适用于移动设备、物联网终端和便携式仪器仪表等对功耗敏感的应用场景。

应用

MD2764A/B广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。常见用途包括便携式电子设备中的电池电源管理模块，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等产品中的负载开关或电源路径控制。在这些应用中，它可用于控制不同功能模块的供电状态，实现节能待机或热插拔保护。此外，该器件也适用于DC-DC转换器中的同步整流或高端开关拓扑，尤其是在非隔离式Buck变换器中作为上管使用，能够有效提升转换效率。工业控制领域中，MD2764A/B可用于传感器供电控制、继电器驱动接口或PLC输入输出模块中的信号切换。由于其具备一定的电压耐压能力，也可用于LED驱动电路中作为恒流源的通断控制元件。在通信设备、消费类电子产品和家用电器中，该器件同样可用于实现电源序列控制、过流保护以及热备份电源切换等功能。得益于其小封装尺寸和良好电气特性，MD2764A/B非常适合用于高密度PCB布局和自动化贴片生产流程，满足现代电子产品对小型化和高可靠性的双重需求。