型号：MD2764-25/B
　　制造商：Microchip Technology
　　存储容量：8K x 8位（64Kbit）
　　组织结构：1K x 8
　　封装类型：28引脚DIP/PDIP
　　工作电压：+5V ±10%
　　最大访问时间：250ns
　　编程电压：+12.5V 至 +13V（Vpp）
　　待机电流：典型值10mA，低功耗模式下可降至100μA
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　擦除方式：紫外线擦除（通过顶部石英窗口）
　　编程方式：通过专用编程器施加高压脉冲
　　输出接口：三态并行输出
　　兼容标准：与Intel 2764A等主流64Kbit EPROM兼容

MD2764-25/B的核心特性之一是其非易失性存储能力，在断电情况下仍能长期保存程序代码，适合用作嵌入式系统的固件存储介质。该芯片采用CMOS技术制造，具备较低的静态功耗，尤其在待机状态下电流消耗极小，有助于提升整体系统的能效表现。其250ns的存取速度足以满足多数8位和早期16位微处理器系统的运行需求，例如Z80、8085、8051等经典处理器平台。器件支持标准的地址与数据总线接口，具备A0-A9共10位地址线，可寻址1024个字节单元，D0-D7为双向数据线，OE（输出使能）、CE（片选）和PGM（编程脉冲输入）控制信号允许灵活地集成到复杂的数字系统中。
　　另一个关键特性是其可重复编程能力。虽然需要外部编程器进行写入操作，且擦除必须依赖紫外线光源，但这一机制确保了数据的高度稳定性与抗干扰能力。一旦编程完成并贴上遮光标签，芯片可在正常环境下保存数据长达10年以上。此外，其封装顶部的透明石英窗口不仅便于多次擦除重用，也方便用户在调试阶段反复修改固件内容。该器件还具备良好的抗辐射和温度稳定性，能够在工业级环境条件下稳定运行。内置的三态缓冲输出结构使其能够安全地挂接在共享数据总线上，避免总线冲突。同时，芯片内部设有编程算法保护机制，防止误编程导致的数据损坏。这些综合特性使得MD2764-25/B在需要高可靠性、长期数据保存和可维护性的应用场景中表现出色，尤其是在没有现代闪存技术支持的旧有系统中仍具不可替代性。

MD2764-25/B主要用于需要永久或半永久存储程序代码的电子系统中，典型应用包括工业自动化控制器、数控机床（CNC）的固件存储、通信设备中的引导程序存放、测试测量仪器的配置信息存储以及老式个人计算机和游戏机的BIOS或固件模块。由于其并行接口设计，它常被用于基于8位微处理器（如Intel 8051、Motorola 68HC11、Zilog Z80）的嵌入式系统开发平台，作为主程序存储器使用。在教育领域，该芯片也被广泛用于电子工程和计算机科学的教学实验中，帮助学生理解存储器的工作原理、地址译码机制以及固件烧录流程。
　　此外，该器件适用于需要现场可升级但频率较低的系统更新场景。例如，在某些工业设备中，厂商会将核心控制逻辑固化于MD2764-25/B中，当需要升级功能时，技术人员可通过打开设备外壳、移除芯片遮光贴、进行紫外线擦除后再重新编程的方式完成固件更新。这种机制虽然不如现代串行Flash便捷，但在电磁干扰较强或对数据完整性要求极高的场合更具优势。另外，由于其物理可观察性和明确的操作流程，该芯片也常用于故障诊断和逆向工程分析。即使在当前高度数字化的时代，许多维修服务站仍然保留着对该类EPROM的支持能力，以应对老旧设备的维护需求。因此，尽管技术上已被更先进的存储方案所取代，MD2764-25/B在特定行业和应用场景中依然发挥着重要作用。

27C64A
　　AT27C64
　　MBM27C64
　　XM27C64