MD27128-25/B 是一款静态随机存取存储器(SRAM),采用高速CMOS技术制造,具有低功耗和高可靠性的特点。它主要用于需要快速数据访问和临时数据存储的应用场景。
该芯片提供27K x 8位的存储容量,总共能够存储27,648字节的数据。其设计适合于各种工业和商业应用环境,能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
存储容量:27K x 8位
工作电压:4.5V至5.5V
访问时间:25ns
数据保留时间:无限(只要电源供电)
封装形式:40引脚DIP、44引脚PLCC
工作温度范围:0°C至+70°C(商业级),-40°C至+85°C(工业级)
引脚间距:0.6英寸(DIP封装)
输入输出结构:三态输出
数据宽度:8位
MD27128-25/B 提供高速的数据读写能力,典型访问时间为25纳秒,适用于对速度要求较高的应用场景。
其采用CMOS工艺制造,相比其他类型的存储器具有更低的功耗和更高的抗干扰能力。
支持全地址范围内的随机访问,确保数据可以随时被读取或写入。
内置三态输出缓冲器,便于与其他数字电路集成。
具备自动数据保持功能,即使在没有新的写操作时也能长期保存数据。
支持多种封装形式,方便用户根据实际需求选择合适的产品版本。
MD27128-25/B 广泛应用于需要快速数据处理和存储的设备中,例如工业控制计算机、医疗设备、通信系统、测试测量仪器等。
由于其可靠性高和性能优越,也被广泛用于军事和航空航天领域中的关键任务系统。
此外,还可以作为微处理器或微控制器系统的外部扩展存储器使用,用于提高系统的整体性能。
在消费类电子产品中,该芯片也常被用作临时数据缓冲区或高速缓存组件。
MD27C128-25PC, CY7C128V33-25PC, ALL128B-25JL