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MD27128-25/B 发布时间 时间:2025/5/23 6:10:30 查看 阅读:20

MD27128-25/B 是一款静态随机存取存储器(SRAM),采用高速CMOS技术制造,具有低功耗和高可靠性的特点。它主要用于需要快速数据访问和临时数据存储的应用场景。
  该芯片提供27K x 8位的存储容量,总共能够存储27,648字节的数据。其设计适合于各种工业和商业应用环境,能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。

参数

存储容量:27K x 8位
  工作电压:4.5V至5.5V
  访问时间:25ns
  数据保留时间:无限(只要电源供电)
  封装形式:40引脚DIP、44引脚PLCC
  工作温度范围:0°C至+70°C(商业级),-40°C至+85°C(工业级)
  引脚间距:0.6英寸(DIP封装)
  输入输出结构:三态输出
  数据宽度:8位

特性

MD27128-25/B 提供高速的数据读写能力,典型访问时间为25纳秒,适用于对速度要求较高的应用场景。
  其采用CMOS工艺制造,相比其他类型的存储器具有更低的功耗和更高的抗干扰能力。
  支持全地址范围内的随机访问,确保数据可以随时被读取或写入。
  内置三态输出缓冲器,便于与其他数字电路集成。
  具备自动数据保持功能,即使在没有新的写操作时也能长期保存数据。
  支持多种封装形式,方便用户根据实际需求选择合适的产品版本。

应用

MD27128-25/B 广泛应用于需要快速数据处理和存储的设备中,例如工业控制计算机、医疗设备、通信系统、测试测量仪器等。
  由于其可靠性高和性能优越,也被广泛用于军事和航空航天领域中的关键任务系统。
  此外,还可以作为微处理器或微控制器系统的外部扩展存储器使用,用于提高系统的整体性能。
  在消费类电子产品中,该芯片也常被用作临时数据缓冲区或高速缓存组件。

替代型号

MD27C128-25PC, CY7C128V33-25PC, ALL128B-25JL

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