MD27128-25/B 时间：2025/5/23 6:10:30 阅读：27

MD27128-25/B 是一款静态随机存取存储器（SRAM），采用高速CMOS技术制造，具有低功耗和高可靠性的特点。它主要用于需要快速数据访问和临时数据存储的应用场景。
　　该芯片提供27K x 8位的存储容量，总共能够存储27,648字节的数据。其设计适合于各种工业和商业应用环境，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。

参数

存储容量：27K x 8位
　　工作电压：4.5V至5.5V
　　访问时间：25ns
　　数据保留时间：无限（只要电源供电）
　　封装形式：40引脚DIP、44引脚PLCC
　　工作温度范围：0°C至+70°C（商业级），-40°C至+85°C（工业级）
　　引脚间距：0.6英寸（DIP封装）
　　输入输出结构：三态输出
　　数据宽度：8位

特性

MD27128-25/B 提供高速的数据读写能力，典型访问时间为25纳秒，适用于对速度要求较高的应用场景。
　　其采用CMOS工艺制造，相比其他类型的存储器具有更低的功耗和更高的抗干扰能力。
　　支持全地址范围内的随机访问，确保数据可以随时被读取或写入。
　　内置三态输出缓冲器，便于与其他数字电路集成。
　　具备自动数据保持功能，即使在没有新的写操作时也能长期保存数据。
　　支持多种封装形式，方便用户根据实际需求选择合适的产品版本。

应用

MD27128-25/B 广泛应用于需要快速数据处理和存储的设备中，例如工业控制计算机、医疗设备、通信系统、测试测量仪器等。
　　由于其可靠性高和性能优越，也被广泛用于军事和航空航天领域中的关键任务系统。
　　此外，还可以作为微处理器或微控制器系统的外部扩展存储器使用，用于提高系统的整体性能。
　　在消费类电子产品中，该芯片也常被用作临时数据缓冲区或高速缓存组件。