时间：2025/5/7 15:44:12
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NTD5C648NLT4G 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，采用 SuperSOT-32 封装形式。该器件适用于各种高效能开关应用场合，如直流-直流转换器、负载开关以及电机驱动等。由于其低导通电阻和高开关速度的特点，这款 MOSFET 在便携式设备及空间受限的应用场景中表现出色。
SuperSOT-32 封装具有体积小、散热性能良好的优势，使得 NTD5C648NLT4G 成为一种理想的功率半导体解决方案。同时，该产品具备较高的雪崩击穿能量，确保在异常工作条件下的可靠性。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
持续漏极电流：9.2A
导通电阻（典型值）：7mΩ
总功耗：1.08W
结温范围：-55℃ to 150℃
1. 超低导通电阻，减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高切换频率支持，适合高频开关应用。
3. 卓越的热稳定性，可适应较宽的工作温度范围。
4. 高雪崩击穿能量，提升产品的可靠性与耐用性。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保设计。
6. 小型化封装 SuperSOT-32，节省 PCB 空间。
1. 直流-直流转换器
2. 开关电源 (SMPS)
3. 电池供电设备中的负载开关
4. 消费类电子产品的保护电路
5. 便携式设备中的电源管理
6. 电机控制与驱动电路
IRLML6402TRPBF, AO3400A
