类型：N 沟道
　　最大漏极电流（ID）：170A
　　最大漏源电压（VDS）：40V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：4.2mΩ @ VGS = 10V
　　栅极电荷（Qg）：90nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

MD170B04USL 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得该器件在高电流应用中能够实现更低的导通损耗，提高整体系统效率。在 VGS = 10V 时，RDS(on) 最大值为 4.2mΩ，这在功率 MOSFET 中属于非常低的水平，适用于需要高效能和高功率密度的设计。
　　此外，该器件具有高电流承载能力和良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。其最大漏极电流可达 170A，在高温环境下仍能维持良好的性能表现。
　　该 MOSFET 还具备较低的栅极电荷（Qg 为 90nC），有助于实现更快的开关速度，从而减少开关损耗，适用于高频开关应用。同时，±20V 的栅源电压耐受能力使其在驱动电路设计中具有更高的灵活性。
　　封装方面，MD170B04USL 通常采用 TO-263（D2PAK）等表面贴装封装形式，便于在 PCB 上安装并实现良好的散热性能。这种封装形式也适合自动化生产流程，提高了生产效率和可靠性。

MD170B04USL 主要用于需要高电流、低导通损耗和快速开关特性的功率电子系统中。例如，在服务器电源、DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器和负载开关等应用中，该器件都能发挥出色的性能。
　　在服务器和通信设备的电源系统中，MD170B04USL 可用于构建高效能的 VRM（电压调节模块）和 POL（负载点）电源，以满足高性能处理器和 FPGA 所需的低电压、大电流供电需求。
　　在电池管理系统中，该 MOSFET 可作为充放电控制开关，确保电池组的安全高效运行。由于其低导通电阻和高电流能力，特别适用于电动工具、无人机、电动滑板车等便携式高功率设备的电池管理电路。
　　此外，该器件还可用于工业自动化设备、电机控制和智能电网等领域的功率控制模块中，提供稳定可靠的开关性能。

SiR170DP, IPP170N20N3, FDP170N20F