MD1616M09E6 是一款由Microsemi(现为L3Harris Technologies的一部分)制造的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)功率晶体管,专为高频率和高功率应用设计。该器件属于N沟道增强型MOSFET,具备高耐压、低导通电阻以及快速开关特性,适用于如电源转换、DC-DC变换器、射频功率放大器等高要求的电子系统中。MD1616M09E6采用先进的平面工艺制造,确保了器件在高频下的稳定性和可靠性。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):900V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):16A
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-247
导通电阻(Rds(on)):典型值为0.36Ω(最大值0.45Ω)
输入电容(Ciss):约1400pF
输出电容(Coss):约450pF
反向恢复时间(trr):约40ns
最大功耗(Ptot):150W
MD1616M09E6 MOSFET具有多项优异的电气和物理特性,适合高功率和高频应用。首先,其高达900V的漏源击穿电压使其适用于高压电源系统,如高压DC-DC转换器和工业电源设备。其次,低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流条件下最小的导通损耗,从而提高了整体系统效率。
此外,该器件具有快速开关能力,输入和输出电容较小,有助于减少开关损耗,适用于高频工作环境。其反向恢复时间较短(约40ns),进一步提升了其在硬开关拓扑结构中的性能表现。
封装方面,MD1616M09E6采用TO-247封装形式,具有良好的散热能力和机械稳定性,便于安装在散热器上,适用于大功率应用场景。该器件还具备较高的热稳定性与长期可靠性,能在极端温度下稳定工作,适用于航空航天、军事和工业控制等高可靠性要求的领域。
MD1616M09E6 MOSFET广泛应用于多种高功率和高频率电子系统中。其主要应用包括但不限于高压电源转换器、DC-DC变换器、不间断电源(UPS)、逆变器、电机驱动器、射频功率放大器以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高耐压能力和快速开关特性,该器件也常用于高频开关电源和功率因数校正(PFC)电路中。
在航空航天和军事领域,MD1616M09E6因其高可靠性和宽温度工作范围,被用于电源管理系统、雷达设备和电子战系统中的功率放大和控制电路。在工业控制方面,该器件适用于高精度伺服电机驱动和高效率电源模块的设计。此外,在新能源应用如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中,MD1616M09E6也可作为关键的功率开关元件使用。
IXFH16N90Q, IRFP460A, STW15NK90Z