类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：160A
　　最大漏源电压（Vds）：280V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为 0.018Ω（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散（Ptot）：300W

MD160B28TEL MOSFET 具备多项优良特性，首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。这在高电流应用中尤为重要，因为较低的导通电阻意味着更少的热量产生和更高的能量转换效率。
　　其次，该器件具有优异的热性能，其封装设计能够有效散热，确保在高功率条件下仍能保持稳定的运行。此外，MD160B28TEL 的最大工作温度可达+175°C，适合在高温环境下使用，提高了设备的可靠性和寿命。
　　该MOSFET的最大漏极电流为160A，使其适用于高功率密度设计，如电动汽车的电机控制器、高效电源供应器等。同时，其最大漏源电压为280V，能够承受较高的电压应力，适用于需要高电压隔离的应用场景。
　　此外，MD160B28TEL 的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的最大栅源电压，允许用户根据系统需求选择合适的驱动电路。这种灵活性使得该器件能够在不同的应用中保持最佳性能。
　　最后，MD160B28TEL 采用TO-247封装，这种封装形式具有良好的热管理和电气性能，适用于高功率应用，并且便于安装和散热。

MD160B28TEL MOSFET 广泛应用于多种高功率电子设备中。首先，在电源转换系统中，如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、UPS（不间断电源）系统等，该器件的低导通电阻和高耐压能力使其成为高效能、高可靠性的理想选择。
　　其次，在电机控制系统中，例如电动汽车的电机驱动器、工业自动化设备中的伺服电机控制器等，MD160B28TEL 能够承受高电流负载，并提供快速开关响应，从而提高电机控制的精度和效率。
　　此外，该MOSFET也常用于电池管理系统（BMS），尤其是在高电压电池组中，用于控制电池的充放电过程。其高耐压能力和良好的热管理性能确保了电池系统的安全性和稳定性。
　　MD160B28TEL 还可用于逆变器系统，如太阳能逆变器、风力发电逆变器等，帮助将直流电转换为交流电并输送到电网。其高效率和高可靠性使其在可再生能源系统中具有广泛的应用前景。
　　最后，在工业设备中，如焊接机、激光切割机等高功率设备中，该器件也发挥着重要作用，提供稳定的功率控制和高效的能量转换。

STP160N28FZ、STP160N28F7、IPW60R017C7