型号：P3403AAL
　　制造商：Diodes Incorporated
　　晶体管类型：P沟道
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-5.1A（@VGS = -10V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-15.3A
　　导通电阻RDS(on)：40mΩ（@VGS = -10V）
　　导通电阻RDS(on)：50mΩ（@VGS = -4.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容（Ciss）：590pF（@VDS=15V）
　　输出电容（Coss）：260pF（@VDS=15V）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（@VDS=15V）
　　栅极电荷（Qg）：11nC（@VGS=-10V）
　　开启延迟时间（td(on)）：10ns
　　上升时间（tr）：35ns
　　关断延迟时间（td(off)）：30ns
　　下降时间（tf）：20ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT26

P3403AAL采用先进的沟槽型MOSFET工艺，优化了载流子迁移路径，从而实现了极低的导通电阻与优异的开关特性。其P沟道结构特别适用于高端开关应用，例如在电池供电系统中作为主电源开关，能够直接由逻辑信号驱动而无需复杂的电平转换或电荷泵电路，显著降低了外围元件数量和整体方案成本。器件在VGS = -10V时典型RDS(on)仅为40mΩ，在VGS = -4.5V时也仅50mΩ，表明其在低电压控制条件下仍具有出色的导通能力，非常适合现代低电压、高效率的电源管理系统。
　　该器件具有快速的开关响应时间，开启延迟约10ns，上升时间35ns，关断延迟30ns，下降时间20ns，确保在高频开关应用中保持较低的开关损耗，提升系统整体能效。同时，其输入电容（Ciss）为590pF，输出电容（Coss）为260pF，反向传输电容（Crss）为50pF，这些电容参数有助于评估驱动电路的负载能力和EMI表现，使其适用于对动态响应要求较高的负载切换和DC-DC转换应用。
　　P3403AAL具备良好的热稳定性，工作结温可达+150°C，能够在高温环境下可靠运行。其SOT26封装不仅体积小巧（典型尺寸约为2.8mm x 1.6mm x 1.0mm），还具备优良的散热性能，适合高密度PCB布局。此外，该器件通过了AEC-Q101可靠性认证，具备高抗湿性、抗机械应力能力，适用于严苛环境下的长期运行。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，有助于减少在感性负载切换过程中的能量损耗和电压尖峰问题。

P3403AAL广泛应用于多种便携式和高集成度电子设备中，主要用作电源开关、负载开关或背对背配置中的电池保护开关。在智能手机和平板电脑中，常用于主电源通断控制、外设电源域管理以及电池与系统之间的隔离，以实现待机低功耗和安全热插拔功能。在可穿戴设备如智能手表和TWS耳机中，由于其小封装和低RDS(on)，能够有效减少发热并延长续航时间。
　　该器件也适用于各类DC-DC转换器电路中的同步整流或高端开关，尤其是在需要简化驱动电路的设计中表现出色。工业手持设备、医疗监控仪器等电池供电系统也常采用P3403AAL来实现高效的电源路径控制。此外，在USB电源开关、充电管理模块及热插拔控制器中，该MOSFET凭借其快速响应和低静态损耗优势，成为理想选择。其高可靠性与宽温度范围支持使其可用于部分工业级应用场景，如传感器模块、IoT节点和无线通信终端设备中的电源管理单元。

DMG2302UK-7
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