MD160B18PPL 时间：2025/9/7 11:15:38 阅读：35

MD160B18PPL 是一款由Microsemi（现为Microchip子公司）推出的双极型晶体管模块，属于高频功率晶体管类别。该器件专为射频（RF）功率放大器应用设计，适用于通信、广播、工业加热和测试设备等多种高频功率应用场景。MD160B18PPL 采用先进的制造工艺，具备高功率增益、良好的热稳定性和较高的效率，是用于HF（高频）和VHF（甚高频）频段的理想选择。

参数

类型：NPN双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT）
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：180 V
　　最大集电极电流（IC）：160 A
　　最大耗散功率（PD）：2000 W
　　工作频率范围：1 MHz 至 500 MHz
　　增益（hFE）：≥ 25（典型值）
　　封装形式：塑料封装（Plastic Package）
　　热阻（RthJC）：约 0.15 °C/W
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C

特性

MD160B18PPL 拥有出色的高频功率放大性能，其NPN结构确保了在高频工作条件下的稳定性和高输出能力。该晶体管的最大集电极-发射极电压为180V，能够承受较高的电压应力，适用于多种射频功率放大电路。其最大集电极电流可达160A，能够在高电流条件下稳定运行，具备良好的线性度和低失真特性，适合用于高保真放大系统。
　　此外，MD160B18PPL 的最大耗散功率高达2000W，表现出卓越的散热能力，有助于提高系统的可靠性与稳定性。其热阻约为0.15°C/W，使得热量能够有效传导并降低工作温度，从而延长器件的使用寿命。器件支持的工作频率范围为1MHz至500MHz，适用于HF（高频）和VHF（甚高频）频段，如广播发射机、无线通信设备、工业加热设备和射频测试仪器等。
　　在封装方面，该晶体管采用塑料封装技术，具备良好的绝缘性能和机械强度，同时降低了成本，提高了性价比。其工作温度范围为-65°C至+150°C，适用于各种严苛的环境条件。MD160B18PPL 的增益（hFE）通常大于25，在高频条件下仍能保持良好的放大性能，适合用于推挽式或A类、AB类放大器设计。

应用

MD160B18PPL 主要用于高频功率放大器系统中，常见于广播发射机、无线通信基站、工业射频加热设备、医疗射频治疗设备、雷达系统和射频测试仪器等领域。其高功率和高频特性使其成为HF/VHF频段功率放大器设计的理想选择。此外，该晶体管也可用于音频功率放大、脉冲调制器和功率开关电路中，适用于需要高可靠性和高效率的工业和军事应用。