型号：UF4N30
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压VDS：300V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：4A（@TC=25℃）
　　脉冲漏极电流IDM：16A
　　导通电阻RDS(on)：≤2.8Ω（@VGS=10V）
　　阈值电压VGS(th)：2~4V
　　最大功耗PD：50W
　　工作结温TJ：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度TSTG：-55℃ ~ +150℃
　　输入电容Ciss：500pF（@VDS=25V）
　　输出电容Coss：100pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间trr：< 50ns

UF4N30采用高性能沟槽栅结构工艺，显著降低了导通电阻与开关损耗，从而提升了整体系统效率。其低RDS(on)特性使得在中等电流条件下发热更少，有助于简化散热设计，降低整体系统成本。该器件具备优异的开关响应能力，输入电容和输出电容较小，配合较低的栅极电荷（Qg），可实现快速开启与关断，适用于高频PWM控制场景，如开关电源、LED恒流驱动和逆变器电路。同时，UF4N30拥有较强的抗雪崩能力，能够在突发过压或感性负载突变时有效保护自身不被击穿，提高系统的鲁棒性。其栅氧层经过特殊处理，增强了对静电放电（ESD）的防护能力，避免因操作不当导致器件损坏。在高温工作环境下，UF4N30表现出良好的参数稳定性，导通电阻随温度上升的变化率较低，确保长时间运行下的性能一致性。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于绿色电子产品设计。封装采用标准TO-220或TO-252形式，引脚间距合理，支持波峰焊与回流焊工艺，易于自动化生产装配。
　　值得一提的是，UF4N30在设计时充分考虑了电磁兼容性（EMC）问题，通过优化内部结构减少寄生参数，抑制高频噪声产生，使其在复杂电磁环境中依然保持可靠运行。对于需要频繁启停或处于动态负载变化的应用，例如电机启动、电焊设备或UPS不间断电源，UF4N30能够提供稳定的电流控制和高效的能量转换。综合来看，这款MOSFET以其均衡的电气性能、可靠的耐用性和广泛的适用范围，成为众多工程师在300V级别功率开关设计中的优选方案之一。

UF4N30广泛应用于各类中低压直流和交流电源系统中，典型用途包括开关模式电源（SMPS），特别是在反激式、正激式和半桥拓扑结构中作为主开关管使用；在LED照明驱动电源中用于实现恒流输出控制，保障光源稳定发光；在家电产品如微波炉、洗衣机、空调等内部的电机驱动模块中担任功率开关角色；也可用于小型逆变器、不间断电源（UPS）、电池充电器和太阳能控制器等设备中进行能量转换与调节。此外，该器件适用于工业控制领域的继电器替代、电磁阀驱动和直流电机调速电路，凭借其高耐压和良好热稳定性，可在较宽温度范围内持续运行。由于其封装便于安装散热片，因此也常见于需要一定功率密度但空间受限的应用场合。

FQP4N30, STP4NK30ZFP, KIA4N30, SIHG4N30D}