类型：NPN双极型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：160 A
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：140 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：200 V
　　最大发射极-基极电压（Veb）：3 V
　　最大功耗（Ptot）：1000 W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-240AB
　　增益（hFE）：通常在25至80之间（取决于工作条件）
　　频率响应：适用于高达500 MHz的工作频率
　　射频功率输出：约120 W（在典型应用条件下）

MD160B14TELV晶体管具有出色的高频性能和高功率处理能力，适用于要求高可靠性和高效率的射频功率放大器设计。该晶体管采用先进的硅双极工艺制造，确保在高频工作条件下仍能保持稳定的性能。其高击穿电压特性（如200 V的Vcb）使其在高压环境中具有良好的鲁棒性。
　　此外，该器件具有良好的热稳定性和低饱和压降（Vce_sat），有助于提高放大器的效率并减少热损耗。其封装设计（TO-240AB）有助于高效散热，确保在高功率运行时的可靠性。
　　MD160B14TELV在射频应用中表现出良好的线性度和增益特性，适用于多种通信系统，如广播发射机、工业射频加热设备、测试仪器和高功率音频放大器。该晶体管还具有较高的抗过载能力和良好的脉冲响应，适合于脉冲调制和高能应用。

MD160B14TELV主要应用于射频功率放大器、工业射频加热系统、高功率音频放大器、通信基站、广播发射设备、测试与测量仪器、雷达系统以及高功率开关电路等场景。

MD160B14T、MD170B14TELV、2N5179、MRF151G、RD16HHF1