时间：2025/9/7 9:40:21
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MD160B08TELV 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和大电流承载能力，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制和电池管理系统等领域。其封装形式为 TO-220FP，具备良好的热管理和电气性能。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：80V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：160A（在 Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大 4.5mΩ（典型值 3.9mΩ）
功耗（Ptot）：300W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装：TO-220FP
MD160B08TELV 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体效率。该器件的高电流承载能力（高达 160A）使其适用于高功率密度设计，如服务器电源、工业电机驱动和电动汽车充电系统。
此外，MD160B08TELV 具备出色的热稳定性，采用 TO-220FP 封装形式，能够有效散热，确保在高负载条件下的稳定运行。其栅极驱动电压范围宽（±20V），兼容多种驱动电路，提高了设计的灵活性。
该 MOSFET 还具有良好的短路耐受能力，能够在极端工况下保持器件的完整性，从而提高系统的可靠性和安全性。其内部结构优化设计减少了开关损耗，适合高频开关应用。
MD160B08TELV 的另一个优势是其高雪崩能量耐受能力，能够在过电压或瞬态条件下保护器件免受损坏。这使得它在需要高可靠性的工业和汽车应用中表现优异。
MD160B08TELV 主要应用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及电动车和充电桩的功率模块。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件在需要高功率密度和高效率的场合表现尤为突出。
在工业自动化和电机控制领域，MD160B08TELV 可用于高性能逆变器和伺服驱动器，提供稳定的功率输出。在电信和服务器电源系统中，它能够有效降低导通损耗，提高整体能效。此外，该 MOSFET 也适用于太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。
IRF1405, IPW60R045C6, STP150N8F7AG, NTD160N08R2AG
