晶体管类型：PNP
　　配置：双晶体管（共发射极）
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：40V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：40V
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　过渡频率（fT）：250MHz
　　直流电流增益（hFE）：在Ic=2mA时为110-800（分等级）

MMDT3906具有以下显著特性：
　　1. **高频性能**：由于其过渡频率（fT）达到250MHz，适用于需要较高频率响应的电路，如射频放大器和高速开关电路。
　　2. **低饱和压降**：在正常工作条件下，集电极与发射极之间的饱和压降较低，有助于减少功率损耗并提高效率。
　　3. **宽工作温度范围**：支持-55°C至+150°C的温度范围，适合在极端环境条件下使用。
　　4. **高增益能力**：hFE值范围较广（110-800），使得该晶体管能够适应不同的放大需求，从低信号放大到较高功率应用。
　　5. **小型化封装**：采用SOT-363封装，节省PCB空间，适用于紧凑型设计和高密度电路布局。
　　6. **可靠性高**：该器件经过严格的质量控制和测试，确保在长期使用中保持稳定性能。

MMDT3906适用于多种电子电路设计，包括：
　　1. **信号放大**：用于音频和射频信号放大电路，特别是在需要高增益和低噪声的应用中。
　　2. **开关电路**：由于其快速开关特性和低饱和压降，MMDT3906常用于数字电路中的开关元件，如驱动继电器、LED和小型电机。
　　3. **逻辑电平转换**：在不同电压电平之间进行信号转换，特别是在微控制器和外围设备之间。
　　4. **电源管理**：用于低压降稳压器（LDO）和电池充电电路中，帮助调节和控制电流流动。
　　5. **通信设备**：在无线通信系统中，MMDT3906可用于射频前端模块的信号处理部分。
　　6. **消费电子产品**：如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，作为多功能晶体管使用。

MMDT3904, BC807, 2N3906, MMBT3906