MD160B06TEL 时间：2025/9/7 18:00:01 阅读：8

MD160B06TEL 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率功率转换系统。该器件采用先进的沟槽栅极技术和优化设计，以提供出色的导通电阻（Rds(on)）和开关性能。其主要设计目标是用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器、负载开关以及工业自动化设备等应用领域。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 (Vds)：60V
　　最大漏极电流 (Id)：160A（在 25°C 下）
　　导通电阻 (Rds(on))：最大值 6mΩ（典型值 4.5mΩ）
　　栅极电荷 (Qg)：约 220nC（取决于测试条件）
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　最大功耗 (Ptot)：约 300W
　　漏源击穿电压 (BVDSS)：60V

特性

MD160B06TEL 具备多项关键性能优势，首先其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，从而提高整体系统的能效。该器件的高电流承载能力（高达 160A）使其适用于高功率密度设计，例如电源模块和电动工具控制器。此外，该 MOSFET 采用了先进的沟槽栅极技术，优化了开关性能，减少了开关损耗，适合高频操作场景，如开关电源（SMPS）和同步整流器。其 TO-247 封装具有良好的热管理能力，有助于快速散热，确保在高负载条件下的稳定运行。该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够承受瞬态过电压和过电流冲击，提高系统的可靠性。
　　此外，MD160B06TEL 的栅极驱动电压范围较宽（通常为 4.5V 至 20V），支持逻辑电平驱动，适用于多种类型的控制器和驱动电路。其栅极电荷较低，有助于减少驱动损耗并提高响应速度。在实际应用中，该器件可以有效地减少电路中的热量积聚，延长系统寿命，并降低冷却系统的设计复杂度。

应用

MD160B06TEL 广泛应用于多个高功率电子系统中，例如：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于高效能电源转换系统，如服务器电源、电信设备电源和工业电源。
　　2. 电机控制：适用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机和伺服电机的驱动电路。
　　3. DC-DC 转换器：在升压（Boost）和降压（Buck）转换器中作为主开关器件，用于提高转换效率。
　　4. 电池管理系统（BMS）：用于电动车辆、储能系统和便携式设备的电池充放电控制。
　　5. 负载开关：在工业自动化和智能配电系统中作为高电流开关器件。
　　6. 逆变器和变频器：用于太阳能逆变器、UPS 系统和交流电机控制电路。