时间：2025/9/2 12:48:47
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MCR2323H 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的双路N沟道增强型功率MOSFET器件，采用先进的高压工艺制造。该器件主要用于需要高效率、高速开关和高可靠性的电源管理系统，特别是在需要双MOSFET配置的电路中，如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等。MCR2323H具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力以及紧凑的封装形式，适用于便携式电子设备、智能穿戴设备、工业控制系统等应用场景。
类型：N沟道MOSFET（双路）
漏极电流（ID）：2.5A（每个通道）
漏极-源极电压（VDS）：20V
栅极-源极电压（VGS）：±12V
导通电阻（RDS(on)）：28mΩ（典型值，VGS=4.5V）
功耗（PD）：1.5W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TDFN-8（3x3mm）
MCR2323H具备多项优良特性，首先其双N沟道MOSFET结构使其非常适合用于同步整流、双向负载开关或H桥驱动等应用。该器件的低导通电阻特性显著降低了在导通状态下的功率损耗，从而提高了整体能效，并减少了热量产生。此外，MCR2323H的20V漏极-源极电压耐受能力使其适用于多种低压电源管理系统，如12V或19V电源轨应用。
其次，MCR2323H采用了先进的TDFN（Thin Dual Flat No-lead）封装技术，具有优良的热管理和空间利用率，非常适合空间受限的便携式设备设计。该封装形式也支持良好的焊接可靠性和自动化生产兼容性。
此外，该器件还具备良好的栅极电荷（Qg）特性，有助于实现快速开关操作，减少开关损耗，适用于高频PWM控制电路。MCR2323H还具备较高的抗静电能力和良好的热稳定性，确保在复杂电磁环境下的稳定运行。
MCR2323H广泛应用于各类电子设备中，特别是在对效率和空间有较高要求的系统中。常见应用包括：移动电源、笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备中的负载开关或DC-DC转换器；电机驱动电路中的H桥结构；电池管理系统中的充放电控制开关；LED背光驱动电路中的同步整流器件；以及各种需要双MOSFET配合工作的工业控制模块。
此外，MCR2323H还可用于设计高效能的ORing电路、热插拔控制器或电源切换电路，提供稳定可靠的电源管理解决方案。
FDMS8878, Si3442DV, BSC028N04LS
