晶体管类型：双NPN晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　频率响应（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110至800（根据不同的工作点）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

MCR2322H的主要特性包括其高频率响应能力和良好的电流增益稳定性。该器件的两个NPN晶体管具有相同的电气特性，使其非常适合用于需要匹配性能的电路设计中，如差分放大器和对称开关电路。此外，MCR2322H的SOT-23封装形式使其在PCB布局中占用空间小，非常适合高密度电路设计。
　　由于其较高的截止频率（fT为100MHz），MCR2322H适用于射频（RF）和高速开关应用。电流增益范围广泛（hFE为110至800），允许设计者根据具体需求选择合适的工作点，从而优化电路性能。该器件的公共集电极端子设计简化了电路连接，并有助于减少PCB上的走线复杂性。
　　MCR2322H的可靠性较高，能够在较宽的温度范围内稳定工作（-55°C至+150°C），适合用于工业级和汽车电子应用。同时，该器件的最大功耗为300mW，确保在中等功率应用中的稳定运行。

MCR2322H广泛应用于多个领域，包括工业自动化控制、消费类电子产品、通信设备和汽车电子系统。在工业控制中，MCR2322H可用于设计信号放大器、逻辑门电路和继电器驱动电路。在消费类电子产品中，该器件常用于音频放大器前级、数字开关和传感器接口电路。
　　在通信设备中，MCR2322H的高频特性使其适用于射频信号处理和中继放大器设计。而在汽车电子系统中，MCR2322H可用于车身控制模块、车载娱乐系统和传感器信号调节电路。此外，由于其紧凑的封装和高集成度，MCR2322H也适用于便携式电子设备和嵌入式系统的电路设计。

MCR2332H, MCR2342H, BC847N, BC848N