MBR1H100SF是一款肖特基二极管,采用TO-252封装形式。该器件具有低正向电压降、快速恢复时间以及高浪涌能力等特性,非常适合在开关电源、直流-直流转换器以及其他需要高效整流的电路中使用。
肖特基二极管是一种利用金属与半导体接触形成肖特基势垒原理制成的二极管,其显著特点在于较低的正向压降和快速的开关性能,因此能够有效减少功率损耗并提升系统效率。
最大正向电压:1.0V@1A
最大反向电压:100V
峰值正向浪涌电流:8.7A
正向电流(平均):1A
结电容:30pF
工作温度范围:-55℃ to +150℃
存储温度范围:-65℃ to +175℃
MBR1H100SF具备以下关键特性:
1. 极低的正向电压降确保了较高的转换效率,并减少了热耗散。
2. 快速恢复时间使其非常适合高频应用场合。
3. 高浪涌能力提升了产品的可靠性和抗瞬态冲击能力。
4. 小型化封装设计(TO-252),便于表面贴装工艺,提高了自动化生产效率。
5. 宽泛的工作温度范围使得该二极管能够在恶劣环境下稳定运行。
MBR1H100SF适用于多种电子电路中的整流和保护功能,包括但不限于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的次级整流。
2. 便携式设备及消费类电子产品中的电池充电保护。
3. 工业控制设备中的信号隔离和保护。
4. 汽车电子系统中的负载突降保护。
5. 各种DC/DC转换器模块中的同步整流电路。
MBR120ESF
MBR1100SF
MBR10100T3G