时间：2025/8/6 5:56:58
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MCNA40PD2200TB 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的功率MOSFET模块，专为高功率密度应用设计。该模块采用双管（Dual）配置，内置两个独立的MOSFET器件，能够实现高效的功率转换。该器件适用于工业电机驱动、逆变器、电源转换系统等高功率应用场景。
类型：功率MOSFET模块
配置：双管（Dual）
漏源电压（VDS）：400V
连续漏极电流（ID）：120A（@TC=100℃）
导通电阻（RDS(on)）：22mΩ（最大值）
封装类型：双列直插式（Dual-in-line）
安装方式：通孔安装
工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
短路耐受能力：有
热阻（Rth）：0.45K/W（结到壳）
MCNA40PD2200TB 拥有出色的导通性能和开关特性，能够在高频率和高电流条件下稳定工作。其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该模块采用先进的封装技术，具有良好的散热性能和机械稳定性，能够在高温环境下长期运行。
此外，该模块内置两个独立的MOSFET，可灵活用于半桥、双管正激或同步整流等拓扑结构。其高耐压能力和强大的短路保护能力，使其在高压、高功率应用中表现出色。模块的封装设计优化了电磁干扰（EMI）性能，有助于提升系统的整体稳定性。
MCNA40PD2200TB 还具备良好的热循环耐久性，适用于对可靠性要求较高的工业电源、电机控制和太阳能逆变器等应用。其高集成度和优异的电气性能使其成为替代传统分立功率器件的理想选择。
MCNA40PD2200TB 常用于高性能电源转换系统中，如工业电机驱动、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电动汽车充电模块、工业自动化设备和高效能开关电源（SMPS）。其高效率和高可靠性也使其适用于需要频繁开关和高功率输出的应用场景。
SKM100GB12T4, FF120R12KS4P, IRAMS10UP60B
