时间：2025/8/6 5:21:08
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IXTP44N15T 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高电流和高电压的应用场合，具有较低的导通电阻和较高的开关性能。IXTP44N15T 采用 TO-247 封装形式，适用于多种工业控制、电源转换和电机驱动等应用。该 MOSFET 的额定漏源电压为 150V，漏极电流可达 44A，能够提供出色的功率处理能力。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
封装类型：TO-247
漏源电压(Vds)：150V
漏极电流(Id)：44A
导通电阻(Rds(on))：典型值 30mΩ
栅极电荷(Qg)：约 100nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
IXTP44N15T 提供了非常低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件采用了先进的平面技术，确保了稳定的电气性能和良好的热稳定性。此外，IXTP44N15T 具有较高的雪崩能量承受能力，能够在极端工作条件下提供可靠的保护。其高栅极电荷特性使其适用于高频开关应用，同时保持较低的开关损耗。该 MOSFET 还具有良好的热管理和过热保护能力，确保在高功率应用中的稳定性。
TO-247 封装形式提供了良好的散热性能，适合安装在散热器上以提高热传导效率。IXTP44N15T 的结构设计使其在高电压和高电流条件下依然能够保持稳定的性能，并具有较长的使用寿命。
IXTP44N15T 主要用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统中。典型应用包括直流-直流转换器、电机控制器、逆变器、不间断电源（UPS）、工业自动化设备和太阳能逆变器等。此外，该器件也常用于电动汽车的电池管理系统、电动工具和高功率 LED 驱动器中。由于其优异的电气性能和可靠性，IXTP44N15T 在工业控制和能源管理系统中得到了广泛的应用。
IXTP44N15XK, IXTH44N15T
