类型：SiC MOSFET模块
　　漏源电压（Vds）：360V
　　漏极电流（Id）：2200A
　　封装形式：Power Transistor Standard Footprint（PTSF）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　热阻（Rth）：根据散热设计不同而变化
　　短路耐受能力：支持短时高电流负载

MCNA360P2200PTSF采用了先进的碳化硅半导体技术，具有显著的性能优势。首先，其高耐压能力（360V）和大电流承载能力（2200A）使其非常适合用于高功率密度系统。碳化硅材料的特性使其在高频开关应用中表现出色，相比传统的硅基器件，具有更低的开关损耗和更高的效率。此外，该模块具备优异的热性能，能够在极端温度条件下稳定工作，提高了系统的可靠性和寿命。模块的封装设计优化了散热性能，有助于降低热阻，提高散热效率。此外，该器件还具备较强的短路耐受能力，能够在突发短路情况下保持稳定运行，避免损坏电路其他部分。
　　MCNA360P2200PTSF还具备良好的封装兼容性，适用于多种标准功率模块的应用场景。其标准封装尺寸使其可以方便地集成到现有的功率系统设计中，而无需进行大规模的重新布局。模块的引脚设计和封装结构也经过优化，以减少寄生电感，从而进一步提高开关性能和可靠性。

该模块广泛应用于高功率密度、高效率的电力电子系统中，如电动汽车（EV）充电系统、储能系统、工业电机驱动器、太阳能逆变器以及轨道交通电力系统等。在电动汽车充电系统中，MCNA360P2200PTSF可以作为主功率开关，实现高效的电能转换。在工业电机驱动系统中，其高频开关特性有助于减小滤波器体积，提高系统响应速度。在太阳能逆变器中，该模块能够提高整体系统的能效，并在高温环境下保持稳定运行。此外，该模块还适合用于高可靠性的航空航天和国防电子系统，满足极端环境下的性能需求。

CMF300120DH, MSC045SMA120B4, VSI500AM120AM1