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NTRV4101PT1G 发布时间 时间:2025/5/10 14:38:49 查看 阅读:21

NTRV4101PT1G是一款由日本 Nichicon 公司生产的贴片式铝电解电容器。该器件具有低阻抗和高纹波电流承受能力,适合在高频开关电源、DC-DC转换器以及其他电力电子设备中使用。其紧凑的设计使其非常适合于空间受限的应用场景。
  该型号属于RV系列,具有较长的使用寿命和出色的温度稳定性,工作温度范围宽广,能够适应各种恶劣的工作环境。

参数

容量:470μF
  额定电压:10V
  工作温度范围:-55℃至+105℃
  封装形式:径向引脚
  尺寸(直径x高度):φ10mm x 12.5mm
  耐纹波电流:3300mA(在100kHz,105℃条件下)
  ESR(等效串联电阻):0.04Ω(典型值,100kHz,20℃)
  绝缘电阻:≥300MΩ
  寿命:2000小时(105℃条件下)

特性

NTRV4101PT1G的主要特性包括:
  1. 高纹波电流承受能力,适用于高频电路环境。
  2. 超低ESR设计,减少了发热并提高了效率。
  3. 宽泛的工作温度范围,能够在极端条件下稳定运行。
  4. 长寿命设计,保证了在高温环境下的可靠性。
  5. 紧凑的外形设计,易于安装和布局,特别适合小型化产品需求。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保无污染。

应用

NTRV4101PT1G广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源中的平滑滤波电路。
  2. DC-DC转换器中的输入输出滤波。
  3. LED驱动电路中的储能元件。
  4. 工业控制设备中的电源模块。
  5. 通信设备及消费类电子产品中的信号耦合与去耦。
  6. 各种需要低噪声和高可靠性的电力电子系统中。

替代型号

NTRV4710MPD
  NTRV4710MPC
  ECX系列同规格产品

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NTRV4101PT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C85 毫欧 @ 1.6A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds675pF @ 10V
  • 功率 - 最大420mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)