类型：碳化硅MOSFET模块
　　最大漏源电压(Vds)：1600V
　　最大漏极电流(Id)：280A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值12mΩ
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：双列直插式（Dual-in-line）
　　安装方式：螺钉固定
　　散热方式：底板散热
　　短路耐受能力：支持
　　栅极电压范围：-5V至+20V

MCMA280PD1600PTSF的碳化硅MOSFET技术提供了极低的导通损耗和开关损耗，使其在高频率工作下仍能保持高效能。该模块的Rds(on)值仅为12mΩ，大大降低了导通状态下的功率损耗。此外，SiC材料的宽禁带特性使其具备更高的击穿电压和更高的热稳定性，适合在高温环境下运行。
　　该模块的设计考虑了工业应用的可靠性需求，采用优化的封装结构，以确保长期运行的稳定性和耐用性。其双列直插式封装和底板散热设计有助于简化系统设计并提高散热效率。此外，模块的短路耐受能力增强了系统在异常情况下的稳定性，降低了损坏风险。
　　MCMA280PD1600PTSF还支持多种栅极驱动电压，提供了更灵活的控制选项。这种模块适用于需要高效率、小体积和高可靠性的功率转换系统，如电动汽车充电器、可再生能源逆变器、工业电机驱动和不间断电源（UPS）系统等。

MCMA280PD1600PTSF广泛应用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统。其典型应用包括电动汽车充电基础设施、光伏逆变器、储能系统、工业电机驱动、不间断电源（UPS）和高功率DC-DC转换器。由于其优异的热管理和高温耐受能力，该模块特别适合在空间受限或高温环境下工作的系统中使用。

MSCSM280SMA1600PTSF, MSCSM280SMA1600PT